[发明专利]半导体制造装置及半导体制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造方法，用于蚀刻在基板上形成的氮化膜，其中，

在工艺腔室中所形成的基座上放置基板，在所述工艺腔室的外部由第1源气体产生等离子体，将所述等离子体供给到所述工艺腔室，

所述第1源气体包含二氟甲烷CH₂F₂、氮气N₂以及氧气O₂，

在工艺进行的途中，变更所述氧气的供给量或所述工艺腔室的温度。

2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于：

使所述氧气的供给量和所述工艺腔室的温度中的任一个增加，使另一个减少。

3.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其特征在于：

所述工艺腔室的温度调节包括所述基座的温度调节。

4.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其特征在于：

所述氧气的供给量在100至2000SCCM的范围和2000至2500SCCM的范围之间变更，所述基座的温度在40℃至70℃的范围和10℃至40℃的范围之间变更。

5.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于：

在变更所述氧气的供给量或所述工艺腔室的温度时，将所述二氟甲烷供给量维持恒定。

6.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于：

在变更所述氧气的供给量或所述工艺腔室的温度时，变更所述氮气气体的供给量。

7.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于：

所述工艺腔室温度的调节包含所述基座温度的调节，

在所述工艺进行时，所述基座的温度为0至70℃，所述二氟甲烷CH₂F₂气体的供给量为10至500SCCM，所述氮气N₂气体的供给量为100至2500SCCM，所述氧气O₂气体的供给量为100至2500SCCM。

8.根据权利要求7所述的半导体制造方法，其特征在于：

所述工艺腔室内的压力为300至1000mTorr，为了产生所述等离子体而供给的电力为1000至3000W。

9.根据权利要求7所述的半导体制造方法，其特征在于：

对向所述工艺腔室供给所述等离子体的通路供给第2源气体，

所述第2源气体包含三氟化氮NF₃。

10.根据权利要求9所述的半导体制造方法，其特征在于：

在蚀刻工艺进行时，所述三氟化氮的供给量大于0且为1000SCCM以下。

11.一种半导体制造方法，在形成多晶硅膜、氧化硅膜和氮化硅膜的基板上，蚀刻氮化硅膜，其中，

在工艺腔室内的基座上载置了所述基板的状态下，由包含有二氟甲烷CH₂F₂、氮气N₂以及氧气O₂的第1源气体产生等离子体，蚀刻所述氮化硅膜，

通过变更所述氧气的供给量或所述工艺腔室的温度，来调节所述氮化硅膜相对于所述氧化硅膜的蚀刻选择比与所述氮化硅膜相对于所述多晶硅膜的蚀刻选择比的相对大小。

12.根据权利要求11所述的半导体制造方法，其特征在于：

在所述工艺腔室的外部产生所述等离子体后，供给到所述工艺腔室。

13.根据权利要求12所述的半导体制造方法，其特征在于：

按照使所述氧气的供给量和所述工艺腔室的温度中的任一个增加，使余下的另一个减少的方式进行变更。

14.根据权利要求11所述的半导体制造方法，其特征在于：

所述工艺腔室的温度变更包含所述基座的温度变更，

所述氧气的供给量在100至2000SCCM的范围和2000至2500SCCM的范围之间变更，所述基座的温度在40℃至70℃的范围和10℃至40℃的范围之间变更。

15.根据权利要求12所述的半导体制造方法，其特征在于：

在变更所述氧气的供给量或所述工艺腔室的温度时，将所述二氟甲烷的供给量与所述工艺腔室内的压力维持恒定。