[发明专利]一种原子层沉积设备有效
| 申请号： | 201210477229.5 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103103497A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 董亚斌;夏洋;李超波;张阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 原子 沉积 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种原子层沉积设备，其特征在于：包括腔室和直流电源，所述腔室内设有加热盘及设置在所述加热盘上的匀热盘，所述匀热盘上设有绝缘导热层，所述绝缘导热层上设有导电盘，所述导电盘通过电线与所述直流电源的正极连接。
2.如权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于：所述导电盘与所述腔室中被加热的晶圆的尺寸相同。
3.如权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于：所述直流电源施加的电压为0-110V。
4.如权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于：所述绝缘导热层的材质为氮化铝陶瓷。
5.如权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于：所述导电盘的材质是氧化铝。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
