[发明专利]半导体精细图案的形成方法有效

专利信息
申请号: 201210477231.2 申请日: 2012-11-21
公开(公告)号: CN103839781A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 何其旸 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 精细 图案 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体精细图案的形成方法,其特征在于,包括:

提供半导体衬底,所述半导体衬底表面具有待刻蚀材料层,所述待刻蚀材料层具有第一区域和第二区域;

在待刻蚀材料层第一区域的表面形成若干分立的第一牺牲层,在待刻蚀材料层第二区域的表面形成若干分立的第二牺牲层;

分别在第一牺牲层和第二牺牲层的两侧形成第一侧墙;

去除第一牺牲层和第二牺牲层,位于待刻蚀材料层第一区域表面的第一侧墙之间的间距大于位于待刻蚀材料层第二区域表面的第一侧墙之间的间距;

在第一侧墙两侧形成第二侧墙,位于待刻蚀材料层第一区域表面的第一侧墙及其两侧的第二侧墙形成若干分立的第一掩膜层,位于待刻蚀材料层第二区域表面的第一侧墙及其两侧的第二侧墙形成连续的第二掩膜层;

以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜,刻蚀待刻蚀材料层,在待刻蚀材料层的第一区域形成具有间隔的重复图形,在待刻蚀材料层的第二区域形成连续图形。

2.根据权利要求1所述的半导体精细图案的形成方法,其特征在于,所述第一牺牲层宽度相同并且相邻第一牺牲层之间具有第一间隔,第一牺牲层与第一间隔组成多个周期性图形,其中一个周期的宽度为第一节距P1,所述第二牺牲层宽度相同并且相邻第一牺牲层之间具有第二间隔,第二牺牲层与第二间隔组成多个周期性图形,其中一个周期的宽度为第二节距P2,且P2<P1

3.根据权利要求2所述的半导体精细图案的形成方法,其特征在于,所述第一节距P1>65nm。

4.根据权利要求2所述的半导体精细图案的形成方法,其特征在于,所述刻蚀材料层第一区域表面的第一侧墙及其两侧的第二侧墙形成的若干分立的第一掩膜层之间的间距为S,并且使P2=P1﹣2S。

5.根据权利要求4所述的半导体精细图案的形成方法,其特征在于,所述刻蚀材料层第一区域表面的第一侧墙及其两侧的第二侧墙,形成的若干分立的第一掩膜层之间的间距S<20%P1

6.根据权利要求4所述的半导体精细图案的形成方法,其特征在于,在待刻蚀材料层的第二区域形成的连续图形的宽度大于或等于P1﹣2S。

7.根据权利要求2所述的半导体精细图案的形成方法,其特征在于,所述第一牺牲层的宽度为CDcore1,第二牺牲层的宽度为CDcore2,CDcore1<1/2P1,CDcore2<1/2P2,并且1/2P1-CDcore1=1/2P2-CDcore2

8.根据权利要求7所述的半导体精细图案的形成方法,其特征在于,第一侧墙的宽度为SP1,第二侧墙的宽度为SP2,则CDcore1=1/2P1﹣SP1,CDcore2=1/2P2﹣SP1

9.根据权利要求1所述的半导体精细图案的形成方法,其特征在于,所述第一牺牲层和第二牺牲层的材料为光刻胶、底层抗反射材料、有机材料、无定形碳、电介质或金属中的一种或几种。

10.根据权利要求1所述的半导体精细图案的形成方法,其特征在于,所述第一牺牲层和第二牺牲层的形成工艺为光刻、等离子体刻蚀、湿法刻蚀、灰化、纳米压印自组装图形中的一种或几种。

11.根据权利要求1所述的半导体精细图案的形成方法,其特征在于,所述第一侧墙和第二侧墙的材料为光刻胶、底层抗反射材料、有机材料、无定形碳、电介质或金属中的一种或几种。

12.根据权利要求11所述的半导体精细图案的形成方法,其特征在于,所述第一侧墙的材料与第一牺牲层的材料不同,所述第一侧墙的材料与第二牺牲层的材料不同。

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