[发明专利]制造氧化物薄膜晶体管的方法和显示装置

权利要求书

1.一种制造氧化物薄膜晶体管的方法，所述方法包括下述步骤：

在基板上形成由氧化物半导体制成的有源层；

对所述有源层进行等离子体表面处理，以使氧渗透进所述有源层中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述进行等离子体表面处理的步骤包括进一步使氟渗透进所述有源层中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成有源层的步骤包括在基板上形成氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层上形成光刻胶图案、以及通过使用所述光刻胶图案来蚀刻所述氧化物半导体层，

其中，在所述形成氧化物半导体层的步骤与所述形成光刻胶图案的步骤之间执行所述进行等离子体表面处理的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成有源层的步骤包括在基板上形成氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层上形成光刻胶图案、以及通过使用所述光刻胶图案来蚀刻所述氧化物半导体层，

其中，在所述蚀刻氧化物半导体层的步骤之后执行所述进行等离子体表面处理的步骤。

5.根据权利要求4所述的方法，在所述蚀刻氧化物半导体层的步骤之后进一步包括干法剥离所述光刻胶图案的步骤，

其中与所述干法剥离光刻胶图案的步骤同时地执行所述进行等离子体表面处理的步骤。

6.根据权利要求5所述的方法，在所述进行等离子体表面处理的步骤之后进一步包括湿法剥离所述光刻胶图案的步骤。

7.根据权利要求4所述的方法，在所述蚀刻氧化物半导体层的步骤之后进一步包括湿法剥离所述光刻胶图案的步骤，

其中，在所述湿法剥离光刻胶图案的步骤之后执行所述进行等离子体表面处理的步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，其中使用等离子体增强化学气相沉积、等离子体蚀刻和增强电容耦合型等离子体中的任意一个，来执行所述进行等离子体表面处理的步骤。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括下述步骤：

在所述基板上形成栅极电极；

在所述栅极电极上形成栅极绝缘膜；

在所述有源层上形成源极电极和漏极电极，所述漏极电极与所述源极电极隔开；

在所述源极电极和漏极电极上形成钝化膜，所述钝化膜具有部分暴露所述漏极电极的接触孔；和

形成通过所述接触孔而与所述漏极电极电连接的像素电极。

10.一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括氧化物薄膜晶体管，所述方法包括下述步骤：

在基板上形成由氧化物半导体制成的有源层；

对所述有源层进行等离子体表面处理，以使氧渗透进所述有源层中。