[发明专利]场发射光源结构

权利要求书

1.一种场发射光源结构，其包括阴极基板、阳极基板及位于所述阴极基板和阳极基板之间的隔离体，其特征在于，所述隔离体的横截面为环状长方形，该隔离体设置于所述阴极基板和所述阳极基板之间，所述阴极基板和所述阳极基板相互对准，且通过所述隔离体相互连接，所述隔离体与所述阳极基板一体成型，且与该阳极基板的相连接的两个表面之间圆弧过渡，使得该阳极基板与所述隔离体连接区域为圆弧形转角。

2.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述阳极基板与所述隔离体之间相交接的表面之间为四分之一圆弧过渡，且该圆弧的半径为1毫米。

3.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述隔离体为一端开口的中空长方体状，其横截面为环状长方形，所述隔离体与该阳极基板位于同一中心轴线上，且距离该阳极基板周缘10毫米，该环形正方形中的外侧正方形的边长为80毫米，内侧正方形的边长为70毫米，该隔离体的厚度为5毫米，高度为2毫米。

4.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述阳极基板可通过激光切割、物理抛光及化学腐蚀的方法加工形成横截面为环状正方形的隔离体，该隔离体与所述阳极基板一体加工成型。

5.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述隔离体的高度为2毫米，厚度为5毫米，所述隔离体的横截面为环状正方形，该横截面的外侧正方形的边长为80毫米，内侧正方形的边长为70毫米，该隔离体成型于距离所述阳极基板的边缘10毫米处，该阳极基板的边缘到所述隔离体对应外侧面的距离为10毫米，其到该隔离体对应内侧面的距离为15毫米。

6.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述阴极基板开设有定位槽，所述横截面为环状长方形的隔离体的端部凸设有定位块，所述定位块凸设于该隔离体大致中部位置，且对应于上述定位槽的位置，该定位块容置于所述定位槽内，以将该隔离体固定于所述阴极基板上。

7.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述隔离体由具有特定刚度的绝缘材料制成。

8.根据权利要求7所述的场发射光源结构，其特征在于，所述隔离体由陶瓷、玻璃或碳化硼制成。

9.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述发射光源结构还包括发射体及发光层，该发射体设置于所述阴极基板上大致中部位置，所述发光层涂覆于所述阳极基板上对准上述发射体的位置，并位于所述隔离体中间，所述发射体产生的电子可在所述阴极基板和阳极基板之间电场驱动下撞击上述发光层。

10.根据权利要求9所述的场发射光源结构，其特征在于，所述发射体由纳米材料制成，所述发光层为边长为70毫米的正方形荧光粉层，所述阴极基板和阳极基板由玻璃制成。