[发明专利]一种PSS图形化衬底刻蚀方法有效
申请号: | 201210478543.5 | 申请日: | 2012-11-22 |
公开(公告)号: | CN103840039A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 高福宝 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pss 图形 衬底 刻蚀 方法 | ||
1.一种PSS图形化衬底刻蚀方法,其特征在于,所述方法包括:
对衬底进行主刻蚀;
其中,所述主刻蚀包括第一步刻蚀和第二步刻蚀;
以第一工艺气压、第一刻蚀气体流量、第一上电极射频功率、以及第一下电极射频功率,对衬底进行第一步刻蚀;判断光刻胶是否开始收缩,若是,则结束所述第一步刻蚀;若否,则继续所述第一步刻蚀,重复所述判断直至所述光刻胶开始收缩;在第一步刻蚀结束之后,以第二工艺气压、第二刻蚀气体流量、第二上电极射频功率、以及第二下电极射频功率,对衬底进行第二步刻蚀;
其中,所述第二工艺气压小于所述第一工艺气压;
对衬底进行过刻蚀;
结束刻蚀。
2.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法,其特征在于,所述判断光刻胶是否开始收缩具体包括,使用光发射光谱分析仪对光刻胶所包含的物质的强度进行检测,当检测出的强度相对于前一时刻的强度相比达到预定下降幅度时,确定光刻胶开始收缩。
3.如权利要求2所述的PSS刻蚀方法,其特征在于,所述物质为碳或者一氧化碳。
4.如权利要求2所述的PSS刻蚀方法,其特征在于,所述预定下降幅度为5%-10%。
5.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法,其特征在于,所述第一下电极射频功率小于所述第二下电极射频功率。
6.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法,其特征在于,所述第一刻蚀气体流量大于所述第二刻蚀气体流量。
7.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法,其特征在于,所述第一工艺气压为3-15mT,所述第二工艺气压的气压为1.5-3mT。
8.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法,其特征在于,所述第一步刻蚀的时间为20-30min,所述第二步刻蚀的时间为5-10min。
9.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法,其特征在于,所述第一上电极射频功率为1400-2400W,所述第一下电极射频功率为100-400W,所述第一刻蚀气体流量为50-200sccm。
10.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法,其特征在于,所述第二上电极射频功率为1400-2400W,所述第二下电极射频功率为300-700W,所述第二刻蚀气体流量为50-120sccm。
11.一种PSS图形化衬底刻蚀方法,其特征在于,所述方法包括:
对衬底进行主刻蚀;
其中,所述主刻蚀步骤包括第一步刻蚀和第二步刻蚀;以第一工艺气压、第一刻蚀气体流量、第一上电极射频功率、以及第一下电极射频功率,对衬底进行预定时间的第一步刻蚀;结束所述第一步刻蚀;以第二工艺气压、第二刻蚀气体流量、第二上电极射频功率、以及第二下电极射频功率,对衬底进行第二步刻蚀;结束所述第二步刻蚀;
其中,所述第二工艺气压小于所述第一工艺气压;
对衬底进行过刻蚀;
结束过刻蚀步骤,进而完成整个PSS刻蚀工艺。
12.如权利要求11所述的PSS刻蚀方法,其特征在于,所述预定时间是根据经验值获得的。
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