[发明专利]太阳能电池性能的改进方法及其结构

权利要求书

1.一种提高微晶硅单节薄膜电池填充因子及改善其温度系数的方法，该方法包括以下步骤：

提供一衬底（100），在所述衬底（100）上形成第一透明导电氧化物层（200）；

在所述第一透明导电氧化物层（200）上形成微晶硅PIN结（400），所述微晶硅PIN结（400）包括：复合P型掺杂层（410），微晶硅本征吸收层（420）和微晶N型掺杂层（430）；

在所述微晶硅PIN结（400）上形成第二透明导电氧化物层（500）；

其特征在于，

在所述复合P型掺杂层（410）中形成微晶P型SiOx层（412），所述复合P型掺杂层（410）依次包括：第一微晶P型掺杂层（411），微晶P型SiOx层（412）和第二微晶P型掺杂层（413）。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述微晶P型SiOx层（412）的厚度范围为5nm~10nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，采用等离子体化学气相沉积的方式形成所述微晶P型SiOx层（412）。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述等离子体化学气相沉积的条件为：

CO₂/SiH₄比例范围为0.1~0.25；

TMB（三甲基硼）/SiH₄比例范围为0.5%~1%；

射频功率密度范围为0.12~0.25W/cm²；

沉积压力范围为2~3mBar；

H₂/SiH₄的比例在100-200之间。

5.一种微晶硅单节薄膜电池，包括：

衬底（100）；

第一透明导电氧化物层（200），形成于所述衬底（100）之上；

微晶硅PIN结（400），形成于所述第一透明导电氧化物层（200）之上，所述微晶硅PIN结（400）包括：复合P型掺杂层（410），微晶硅本征吸收层（420）和微晶N型掺杂层（430）；；

第二透明导电氧化物层（500），形成于所述微晶硅PIN结（400）之上；

其特征在于，

所述复合P型掺杂层（410）依次包括：第一微晶P型掺杂层（411），微晶P型SiOx层（412）和第二微晶P型掺杂层（413），所述第一微晶P型掺杂层（411）与所述第一透明导电氧化物层（200）相接触。

6.根据权利要求5所述的薄膜电池，其中，所述微晶P型SiOx层（412）的厚度范围为5nm~10nm。

7.根据权利要求5所述的薄膜电池，其中，所述微晶P型SiOx层（412）采用等离子体化学气相沉积的方式形成。

8.根据权利要求7所述的薄膜电池，其中，所述等离子体化学气相沉积的条件为：

CO₂/SiH₄比例范围为0.1~0.25；

TMB（三甲基硼）/SiH₄比例范围为0.5%~1%；

射频功率密度范围为0.12~0.25W/cm²；

沉积压力范围为2~3mBar；

H₂/SiH₄的比例在100-200之间。

9.一种提高非晶微晶叠层电池填充因子及改善其温度系数的方法，该方法包括以下步骤：

提供一衬底（100），在所述衬底（100）上形成第一透明导电氧化物层（200）；

在所述第一透明导电氧化物层（200）上形成非晶硅PIN结（300），所述非晶硅PIN结（300）包括：非晶P型掺杂层（310），非晶硅本征吸收层（320）和微晶N型掺杂层（330）；

在所述非晶硅PIN结（300）上形成微晶硅PIN结（400），所述微晶硅PIN结（400）包括：复合P型掺杂层（410），微晶硅本征吸收层（420）和非晶N型掺杂层（430）；

在所述微晶硅PIN结（400）上形成第二透明导电氧化物层（500）；

其特征在于，在所述复合P型掺杂层（410）中形成微晶P型SiOx层（412），所述复合P型掺杂层（410）依次包括：第一微晶P型掺杂层（411），微晶P型SiOx层（412）和第二微晶P型掺杂层（413）。