[发明专利]光器件晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及光器件晶片的加工方法，使在蓝宝石基板、碳化硅等外延基板的表面经由缓冲层来层叠由n型半导体层以及p型半导体层构成的光器件层并由形成为格子状的多个切割道划分而成的多个区域中形成了发光二极管、激光二极管等光器件的光器件晶片中的光器件层转移到移设基板。

背景技术

在光器件制造步骤中，在作为大致圆板形状的蓝宝石基板、碳化硅等外延基板的表面经由缓冲层来层叠由n型半导体层以及p型半导体层构成的光器件层，并在由光器件层中形成为格子状的多个切割道划分而成的多个区域中形成发光二极管、激光二极管等光器件而构成光器件晶片。并且，通过沿着切割道分割光器件晶片而制造各个光器件（例如，参照专利文献1）。

另外，作为提高光器件的亮度的技术，在下述专利文献2中公开了如下的叫作剥离的制造方法：针对在构成光器件晶片的蓝宝石基板、碳化硅等外延基板的表面经由缓冲层而层叠的由n型半导体层以及p型半导体层构成的光器件层，将钼（Mo）、铜（Cu）、硅（Si）等的移设基板经由金（Au）、铂（Pt）、铬（Cr）、铟（In）、钯（Pd）等的接合金属层进行接合，从外延基板的背面侧向缓冲层照射激光光线，从而剥离外延层，使光器件层转移到移设基板。

专利文献1：日本特开平10-305420号公报

专利文献2：日本特表2005-516415号公报

而且，在激光加工装置中向缓冲层照射适当的输出的激光光线而破坏缓冲层之后，为了剥离接合到移设基板的光器件晶片的外延基板而将光器件层移设到移设基板，在将接合到移设基板的光器件晶片从激光加工装置搬运到转移装置时，存在外延基板从移设基板脱落，从而层叠了外延基板或者光器件层的移设基板被破损这样的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，本发明主要的技术课题在于提供一种光器件晶片的加工方法，在向缓冲层照射适当的输出的激光光线而破坏缓冲层之后，在不使外延基板从移设基板脱落的情况下搬运在移设基板上接合光器件晶片而成的复合基板。

为了解决上述主要的技术课题，本发明提供一种光器件晶片的加工方法，破坏光器件晶片的缓冲层，该光器件晶片在外延基板的表面经由缓冲层层叠光器件层，并在表面具有形成了多个光器件的光器件区域和围绕该光器件区域的外周剩余区域，且该光器件晶片是将该光器件层经由接合金属层接合到移设基板而成的，该光器件晶片的加工方法的特征在于包括：晶片保持步骤，在激光加工装置的卡盘台上保持与光器件晶片接合的移设基板侧；以及缓冲层破坏步骤，从外延基板侧向缓冲层照射相对于外延基板具有透过性且相对于缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，来破坏缓冲层，该缓冲层破坏步骤包括：第一激光光线照射步骤，完全地破坏与光器件区域对应的缓冲层；以及第二激光光线照射步骤，不完全地破坏与外周剩余区域对应的缓冲层。

本发明优选为，在上述第一激光光线照射步骤中照射的脉冲激光光线的能量密度被设定为0.25～1.0J/cm²，在上述第二激光光线照射步骤中照射的脉冲激光光线的能量密度被设定为0.1～0.15J/cm²。

另外，在上述第二激光光线照射步骤中向与外周剩余区域对应的缓冲层照射的脉冲激光光线的每单位面积的照射数被设定为少于在上述第一激光光线照射步骤中向与光器件区域对应的缓冲层照射的脉冲激光光线的每单位面积的照射数。

而且，通过从在完全地破坏与光器件区域对应的缓冲层的第一激光光线照射步骤中照射的脉冲激光光线传播的能量，同时执行不完全地破坏与上述外周剩余区域对应的缓冲层的第二激光光线照射步骤。

在本发明中，从外延基板侧向缓冲层照射相对于外延基板具有透过性且相对于缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线并破坏缓冲层的缓冲层破坏步骤包括完全地破坏与光器件区域对应的缓冲层的第一激光光线照射步骤、以及不完全地破坏与外周剩余区域对应的缓冲层的第二激光光线照射步骤，因此成为如下状态：与光器件区域对应的缓冲层所实现的外延基板与光器件层的结合功能完全丧失，但是与外周剩余区域对应的缓冲层所实现的外延基板与光器件层的结合功能的一部分被维持。由此解决了以下问题：在实施了第一激光光线照射步骤以及第二激光光线照射步骤之后，为了剥离与移设基板接合的光器件晶片的外延基板而使光器件层移设到移设基板，将与移设基板接合的光器件晶片从激光加工装置搬运到转移装置时，外延基板从移设基板脱落而层叠了外延基板或者光器件层的移设基板被破损。

附图说明

图1是用于实施本发明的光器件晶片的加工方法的激光加工装置的立体图。