[发明专利]一种带有指示光的半导体激光器芯片结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210479341.2 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103050889A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 尧舜;王智勇;贾冠男 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 带有 指示 半导体激光器 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种带有指示光的半导体激光器芯片结构，其特征在于：将光谱中包含可见光的发光单元与光谱中只包含不可见光的发光单元集成在同一个半导体激光器芯片上，即在一个半导体激光器芯片上，既有光谱中只包含不可见光的发光单元，也有光谱中包含可见光的发光单元。
2.根据权利要求1所述的一种带有指示光的半导体激光器芯片结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1）采用金属有机化合物化学气象沉积的方法，在衬底上生长光谱中只包含不可见光的外延层；
2）选择一个或多个不发光单元，采用标准半导体光刻工艺，去掉这些区域的外延层；
3）在外延层及去掉外延层的区域上生长一层SiO2；
4）采用标准湿刻工艺，将去掉外延层的区域上的SiO2除去；
5）采用金属有机化合物化学气象沉积的方法，在SiO2及去掉外延层的区域上生长光谱中包含可见光的外延层；
6）采用标准湿刻工艺，去掉芯片上所有SiO2层及SiO2层上部的光谱中包含可见光的外延层；
7）完成包括腐蚀V型槽、制作金属化电极这些半导体激光芯片前工艺步骤，得到一种其上既有光谱中包含可见光的发光单元，又有光谱中只包含不可见光的发光单元，且各个发光单元之间电学并联、光学隔离的带有指示光的半导体激光器芯片结构。
3.根据权利要求2所述方法，其特征在于：以GaAs为衬底的材料。
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