[发明专利]一种衬底处理系统

权利要求书

1.一种衬底处理系统，其特征在于，包括：去气腔、输气单元和气体处理装置，其中：

所述去气腔，包括位于腔内的支撑件,所述支撑件用于承载半导体衬底；

所述输气单元，包括用于接收气体的输入口以及与所述去气腔封闭相连的一个或多个输出口；

所述气体处理装置，设置于所述去气腔内与所述输气单元的输出口连接并位于所述支撑件上方；

所述气体处理装置包括加热单元和匀气单元，所述匀气单元包括与所述半导体衬底表面平行排列的相互间隔一定间距的多个匀气板，所述匀气板具有多个通孔；所述加热单元位于所述匀气板的上方、下方或所述匀气板内，用于对通过所述通孔的气体加热；

所述多个匀气板中靠近所述支撑件的匀气板上通孔的数量大于靠近所述输气单元输出口的匀气板上通孔的数量，靠近所述输气单元输出口的匀气板上通孔的孔径大于靠近所述支撑件的匀气板上通孔的孔径；

所述多个匀气板之间形成使气体停留被加热的空间。

2.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于，所述加热单元，包括：

导流元件，所述导流元件形成引导所述气体流动的导流路径，使所述气体沿所述导流路径流动以增加所述加热单元与所述气体的接触面积。

3.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于，所述匀气板与所述去气腔的腔室侧壁固定连接。

4.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于，每个所述匀气板上的通孔呈均匀分布。

5.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于，所述加热单元紧密贴合于所述匀气板的上表面或下表面。

6.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于，所述加热单元包括电阻丝。

7.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于，所述衬底处理系统，还包括底部加热单元，设置于所述去气腔底部，用于对所述半导体衬底加热。

8.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于，所述衬底处理系统，还包括：

真空泵抽气单元，其抽气接口与所述去气腔连接，用于将所述去气腔内的气体抽出。

9.根据权利要求8所述的衬底处理系统，其特征在于，所述衬底处理系统，还包括：

冷却单元，连接于所述去气腔和所述真空泵抽气单元的抽气接口之间，用于将所述去气腔内排出的气体冷却。

10.根据权利要求9所述的衬底处理系统，其特征在于，所述冷却单元，包括：冷却元件及导气管，其中：

所述导气管的一端连接所述去气腔，另一端连接所述抽气单元的抽气接口，所述导气管缠绕连接于所述冷却元件外侧。