[发明专利]控制反应温度的均聚物防垢剂合成工艺无效
| 申请号： | 201210480801.3 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103804538A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 刘俊华 | 申请（专利权）人： | 刘俊华 |
| 主分类号： | C08F2/00 | 分类号： | C08F2/00;C09K8/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 反应 温度 均聚物防垢剂 合成 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.控制反应温度的均聚物防垢剂合成工艺，其特征在于，包括步骤：
(a)首先，制备合成工艺所需的反应单体；
(b)然后，称取一定量的反应单体置于反应容器中，并加入溶剂搅拌均匀；
(c)向反应容器中加入引发剂；
(d)调节反应体系的pH值；
(e)将反应容器置于73℃～78℃水浴中，以一定速度进行搅拌反应；
(f)将反应产物混合物冷却后过滤；
(g)将过滤后液体进行蒸馏，分离后进行干燥，即得目标产品。
2.根据权利要求1所述的控制反应温度的均聚物防垢剂合成工艺，其特征在于，所述反应容器为烧杯。
3.根据权利要求1所述的控制反应温度的均聚物防垢剂合成工艺，其特征在于，通过旋转蒸发器进行减压蒸馏。
4.根据权利要求1所述的控制反应温度的均聚物防垢剂合成工艺，其特征在于，所述溶剂为蒸馏水。
5.根据权利要求1所述的控制反应温度的均聚物防垢剂合成工艺，其特征在于，所述引发剂为过硫酸铵。
6.根据权利要求1所述的控制反应温度的均聚物防垢剂合成工艺，其特征在于，所述步骤(e)中，反应温度为74℃。
7.根据权利要求1所述的控制反应温度的均聚物防垢剂合成工艺，其特征在于，所述步骤(e)中，反应温度为75℃。
8.根据权利要求1所述的控制反应温度的均聚物防垢剂合成工艺，其特征在于，所述步骤(e)中，反应温度为76℃。
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