[发明专利]具有改进的栅极平坦性的FinFET

权利要求书

1.一种制作FinFET的方法，包括：

形成鳍图案，其中每个鳍包括设置于其上的鳍硬掩模层；

在所述鳍图案之上沉积栅极层；

在所述栅极层之上沉积栅极硬掩模层；

去除所述栅极硬掩模层和所述栅极层的部分，由此暴露所述鳍图案；

在来自所述鳍图案的鳍的第一子集之上沉积抗蚀层；

使用蚀刻从所述鳍图案去除所述鳍的第二子集；并且

合并所述鳍的第一子集的至少一些鳍。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述鳍的第一子集之上沉积抗蚀层包括沉积包括碳的层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述鳍的第一子集之上沉积抗蚀层包括沉积包括光致抗蚀剂的层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成鳍图案包括以范围从约20纳米至约60纳米的节距形成鳍图案。

5.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述鳍的第二子集还包括湿法蚀刻。

6.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述鳍的第二子集还包括干法蚀刻。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成鳍图案还包括沉积硬掩模，所述硬掩模包括从由以下材料构成的组选择的材料：

氧化硅、氮化硅、碳化硅、TiN、TaN和非晶碳。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成鳍图案还包括沉积保形膜，所述保形膜包括从由以下材料构成的组选择的材料：

氮化硅、碳化硅、TiN、TaN和非晶碳。

9.一种制作FinFET的方法，包括：

形成鳍图案，其中每个鳍包括设置于其上的鳍硬掩模层；

从来自所述鳍图案的鳍的第一子集去除所述鳍硬掩模层；

在所述鳍图案之上沉积栅极层；

在所述栅极层之上沉积栅极硬掩模层；

去除所述栅极硬掩模层的部分；

在单个工艺步骤中去除所述栅极层的部分和鳍的所述第一子集，其中保留来自所述鳍图案的鳍的第二子集。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括合并来自所述鳍的第二子集的至少两个鳍。

11.根据权利要求9所述的方法，其中形成鳍图案包括以范围从约20纳米至约60纳米的节距形成鳍图案。

12.根据权利要求9所述的方法，其中形成鳍图案还包括沉积硬掩模，所述硬掩模包括从由以下材料构成的组选择的材料：

氧化硅、氮化硅、碳化硅、TiN、TaN和非晶碳。

13.根据权利要求9所述的方法，其中形成鳍图案还包括沉积保形膜，所述保形膜包括从由以下材料构成的组选择的材料：

氮化硅、碳化硅、TiN、TaN和非晶碳。

14.根据权利要求12所述的方法，其中沉积氧化物硬掩模包括以范围从约2纳米至约20纳米的厚度沉积硬掩模层。

15.根据权利要求9所述的方法，其中形成鳍图案还包括以范围从约0.05至约0.125的硬掩模厚度与硅厚度的比率形成鳍图案。

16.一种FinFET结构，包括：

电介质衬底；

多个设计鳍，设置于所述电介质衬底上；

多个小鳍，设置于所述电介质衬底上；以及

栅极层，设置于每个设计鳍的部分之上和所述多个小鳍中的每个小鳍之上。

17.根据权利要求16所述的FinFET结构，其中所述多个小鳍中的每个小鳍包括硅部分和硬掩模部分，其中所述硬掩模部分设置于所述硅部分上面。

18.根据权利要求17所述的FinFET结构，其中所述硬掩模部分设置于所述硅部分的侧部上。

19.根据权利要求16所述的FinFET结构，其中所述多个小鳍中的每个小鳍仅包括硅部分。

20.根据权利要求16所述的FinFET结构，其中所述硬掩模部分的厚度与所述硅部分的厚度的比率的范围从约0.05至约0.125。