[发明专利]掺杂失效的分析方法

权利要求书

1.一种掺杂失效的分析方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一掺杂符合要求的良品硅片，该良品硅片用于对待测样品硅片进行比较分析；

步骤二、对所述良品硅片和所述待测样品硅片进行处理，该处理将所述良品硅片和所述待测样品硅片的衬底表面上的膜层结构都去除，直至露出所述良品硅片和所述待测样品硅片的衬底表面；

步骤三、将处理过的所述良品硅片和所述待测样品硅片分别放置在一导电底座上，且通过锡焊料分别将所述良品硅片和所述待测样品硅片的底部和对应底座紧密品质粘贴在一起；

步骤四、分别在所述良品硅片和所述待测样品硅片上选定一测试图形，所述良品硅片上的测试图形和所述待测样品硅片上的测试图形的尺寸相同，且所述良品硅片和所述待测样品硅片上的测试图形区域处从硅片的表面到底部的掺杂类型相同；

步骤五、采用扩展电阻测试设备进行测试条件设置，测试条件设置包括整修工具参数设置和认证测试参数设置；

步骤六、根据所设定的测试条件，采用单针分别对所述良品硅片上的测试图形和所述待测样品硅片上的测试图形进行认证测试，测试后分别得到所述良品硅片的电阻值的数据、以及所述待测样品硅片的电阻值的数据；

步骤七、对所述良品硅片和所述待测样品硅片的电阻值的数据进行比较，当所述待测样品硅片的电阻值为所述良品硅片电阻值的95%～105%时，所述待测样品硅片的掺杂有效；当所述待测样品硅片的电阻值为所述良品硅片电阻值的95%～105%的范围之外时，所述待测样品硅片的掺杂失效。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中的处理工艺采用氢氟酸进行腐蚀处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中的所述底座为无倾角的平面底座。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤四中所选定的所述良品硅片和所述待测样品硅片上的测试图形要求是：所述良品硅片和所述待测样品硅片上的测试图形的区域都要平坦且杂质分布均匀、且所述良品硅片和所述待测样品硅片上的测试图形的掺杂类型和位于对应测试图形底部的掺杂区域或硅片衬底的掺杂类型都相同；所述良品硅片和所述待测样品硅片上的测试图形的长度和宽度都分别大于所述扩展电阻测试的针的直径。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤五中所述整修工具参数设置包括：

将所要测试的所述良品硅片或所述待测样品硅片都设定为QTA组件或都设定为PEN组件；

在所要测试的所述良品硅片或所述待测样品硅片的测试图形中设定测试的初始点；

步骤五中认证测试参数设置包括：

根据所述初始点的设定设置极性；

设置测试点数，测试点数大于等于1；

设置步径，步径大于针的直径；

设置认证测试的组件，所述整修工具中将所要测试的所述良品硅片或所述待测样品硅片都设定为QTA组件时，所述认证测试的组件设定为QTA；所述整修工具中将所要测试的所述良品硅片或所述待测样品硅片都设定为PEN组件时，所述认证测试的组件设定为PEN。