[发明专利]光半导体元件搭载用封装及使用其的光半导体装置

说明书

本发明是申请号为200780020542.3(国际申请号为PCT/JP2007/060385)、申请日为2007年5月21日、发明名称为“光半导体元件搭载用封装及使用其的光半导体装置”的发明申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及在组合了光半导体元件和荧光体等波长变换手段的光半导体装置的制造方面有用的光半导体元件搭载用封装及使用该封装的光半导体装置。

背景技术

近年来，为了光半导体装置的小型、薄型化，具有图3所示结构的表面组装(SMD(Surfacemounted device))型的光半导体装置(发光装置)代替引线型的光半导体装置被大量使用。该表面组装型的光半导体装置通常如下制造：在具有作为光半导体元件搭载用区域的凹部的树脂成型体403和正负引线电极404一体化后的光半导体元件搭载用封装的凹部底面，通过芯片焊接材料406搭载光半导体元件(LED等)400，用接合线401将该光半导体元件400和引线电极404进行电连接后，在凹部填充包含荧光体405的透明密封树脂402，密封光半导体元件400。另外，上述光半导体元件搭载用封装通常如下制造：由成型金属模具夹入引线电极，向密闭的金属模具内注入熔融的热塑性树脂组合物后，恢复到室温使该树脂组合物固化，从而使其一体化。日本特开2002-280616号公报、日本特开2004-055632号公报和日本特开2004-342782号公报中公开了使用具有凹部的树脂成型体和正负引线电极一体化的光半导体元件搭载用封装而形成的SMD型LED装置。

发明内容

近年来，光半导体装置在其利用领域扩展的同时在苛刻的使用条件下使用的情况增多，从而要求具有比以往更高的可靠性。但是，通常用于制造上述树脂成型体的热塑性树脂组合物的线膨胀率(20～120ppm/℃)大于通常用作引线电极的铜的线膨胀率(约17ppm/℃)，因此，将其一体化时会产生较大的应力，其结果是树脂成型体和引线电极的粘接性低，其间会产生数十微米等级的间隙。并且，如果树脂成型体和引线电极的粘接性低，则在弯曲引线电极的外部引线的工序中施加的应力也会导致其间产生间隙，使得光半导体装置的可靠性降低。

另外，向金属模具注入树脂组合物而制作树脂成型体时如果应用注射成型，由于树脂的注射压力使金属模具有时会稍微变形或错位，此时沿着金属模具的接缝会产生间隙，从而在光半导体元件搭载用封装侧面产生树脂飞边(分型线)。该树脂飞边在成型工序中成为障碍，为了使光半导体装置小型化而精度高地沿着树脂成型体的外侧面加工外部引线变得非常困难。并且，此时在引线电极和树脂成型体的界面施加纵向应力，在上述界面从横向延伸的飞边的顶端部分会产生间隙。进而，树脂飞边也可能会剥落，该树脂飞边的剥落成为封装裂缝的主要原因，水分、杂质从该裂缝侵入，使得光半导体装置的可靠性显著降低。另外，飞边深度剥落的情况会产生孔壁，外观较差。

另外，近年来开发了在紫外区域等具有发光峰波长的光半导体元件，对于该元件也期待着适用于SMD型LED，但是紫外区域附近的光能量高，因此树脂成型体的凹部内周面(反射面)容易劣化，该内周面进一步劣化时，存在可见光的反射率也会降低的问题。

鉴于上述情况，本发明的目的在于提供树脂成型体和引线电极的粘接性良好、可靠性优异的光半导体元件搭载用封装及使用该封装的光半导体装置。

另外，本发明的其他目的在于提供固化后的、具有可见光至近紫外光的反射率高、耐光和耐热劣化性优异的凹部(反射面)的光半导体元件搭载用封装及使用该封装的光半导体装置。

即，本发明的特征在于下述(1)～(12)的事项。

(1)光半导体元件搭载用封装，其为具有作为光半导体元件搭载区域的凹部的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，由至少形成所述凹部侧面的、包含热固性光反射用树脂组合物的树脂成型体与对向配置以形成所述凹部底面的一部分的至少一对正负引线电极一体化而成，在所述树脂成型体和所述引线电极的接合面没有间隙。

(2)上述(1)所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述树脂成型体和所述正负的两个引线电极的一体化通过传递成型来进行。

(3)上述(1)或(2)所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物包含填料。