[发明专利]替加环素晶型及其制备方法

权利要求书

1.一种新的替加环素M晶型，其特征在于，其X射线-粉末衍射图谱中其X射线-粉末衍射图谱中以°为单位的2θ角在8.8±0.2、10.1±0.2、20.4±0.2、21.8±0.2处有衍射峰。

2.如权利要求1所述的替加环素M晶型，其特征在于，其X射线-粉末衍射图谱中其X射线-粉末衍射图谱中以°为单位的2θ角在8.8±0.2有最高衍射峰。

3.如权利要求1或2所述的替加环素M晶型，其特征在于，其X射线-粉末衍射图谱中以°为单位的2θ角在8.8±0.2、10.1±0.2、10.4±0.2、13.2±0.2、20.4±0.2、21.8±0.2、22.1±0.2、22.6±0.2处有衍射峰，进一步的，其X射线-粉末衍射图谱中2θ在8.8±0.2、10.1±0.2、10.4±0.2、11.5±0.2、12.7±0.2、13.2±0.2、14.2±0.2、15.3±0.2、15.8±0.2、17.1±0.2、18.6±0.2、20.4±0.2、20.9±0.2、21.8±0.2、22.1±0.2、22.6±0.2、26.6±0.2处有衍射峰。

4.如权利要求1所述的替加环素M晶型，其特征在于，其DSC图谱在165-180℃之间有特征吸热峰，具体为在172℃处有特征吸热峰。

5.如权利要求1或2所述的替加环素M晶型的制备方法，包括如下步骤：

（1）将替加环素N晶型加入溶剂中，控温，搅拌，析晶；

（2）分离所得固体。

6.如权利要求5所述的替加环素N晶型的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自甲醇、乙醇、异丙醇、乙酸乙酯、乙酸甲酯或水的一种或两种以上。

7.一种替加环素N晶型，其特征在于，其X射线-粉末衍射图谱中以°为单位的2θ角在8.2±0.2、10.3±0.2、15.4±0.2处有衍射峰。

8.如权利要求7所述的替加环素N晶型，其特征在于其X射线-粉末衍射（X-RD）图谱中以°为单位的2θ角在8.2±0.2处有最高衍射峰。

9.如权利要求7或8所述的替加环素N晶型，其特征在于，其X射线-粉末衍射图谱中以°为单位的2θ角在5.1±0.2、8.2±0.2、10.3±0.2、13.1±0.2、15.4±0.2、19.1±0.2、21.1±0.2、21.4±0.2、22.3±0.2处有衍射峰，进一步的，其X射线-粉末衍射图谱中以°为单位的2θ角在5.1±0.2、8.2±0.2、10.3±0.2、13.1±0.2、13.6±0.2、15.4±0.2、18.8±0.2、19.1±0.2、21.1±0.2、21.4±0.2、22.3±0.2、23.0±0.2、24.6±0.2处有衍射峰。

10.如权利要求7或8所述的替加环素N晶型的制备方法，包括如下步骤：

（1）将替加环素加入有机溶剂中，控温搅拌，析晶；

（2）分离所得固体。