[发明专利]铜氧化物超导体系的电子态网络结构及结合能的建模方法

说明书

技术领域

本发明涉及铜氧化物超导体系电子态的网络结构及结合能的建模方法。

背景技术

在先前的一篇报告中^[1]，我们讨论了Bi2212铜氧化物超导系中从节点到反节点的电子配对的总体结构。但那些讨论有基本的缺陷：虽然我们提出了结合能是由中介声子的逃逸引起的，但我们没有解释格波模的中介没有受到其他格波模的干扰；换言之，我们没有能解释在存在多个格波模的情况下中介格波模的优势是如何确立和保持的。实际上，我们之前的讨论没有考虑k空间里单一切面之外的耦合，而这种考虑对于明确地解释电子态结合能的确立和维持来说是必需的。因此，需要适用此类超导体系的更完备的建模方法。

发明内容

在本说明书中，将提供一种更完整的模型，其中能够在考虑所有格波模所中介的相互作用的基础上，解释电子态的结合能的建立和维持。

根据本发明的一个方面，提供了铜氧化物超导体系的电子态网络结构及结合能的一种建模方法，其特征在于包括：

按照以下规则建模：

规则1：若顶点1和2处于结合能态，则它们彼此之间的跃迁概率必须相等，即

Σi|a1i|2=Σj|a2j|2---(2)]]>

其中i(=1,2，......)和j(=1,2，......)表示相应的态，

规则2：当顶点1和2都处于由一组边(a_ij)构成的一个环路中时，则态1和2被保持在同一相互作用中，且边1-2中的结合能态(BES)能够被产生和/或保持，

规则3：若要顶点1和2处于结合能态，则（2）式的各边a_1i和a_2j的强度所表示的“流”必须在包括顶点1和2的一个环路中被耗散掉。

附图说明

图1示意显示了根据本发明的建模方法所构建的一种电子相互作用环路。

图2示意显示了根据本发明的建模方法所构建的结合能态交叉环路的示例。

图3示意显示了图2所示的结合能态交叉环路的一种扩展情况。

图4用于说明用图2的结合能态交叉环路来耗散残余的边。

图5用于说明双重结合能态的（不）可行性。

具体实施方式

电子－晶格相互作用的哈密顿量

电子－晶格相互作用的哈密顿量可标示为电子哈密顿量H_e的泰勒级数展开^[2]：