[发明专利]激光退火装置及退火方法

权利要求书

1.一种激光退火装置，其特征在于，包括：

激光源、分束器、倍频元件、塞孔阵、多个光程调节台、多个透镜、掩膜、吸收光阑和出射光阑；

其中，所述激光源发出的光束经分束器后形成主激光和调制激光；所述调制激光经过所述倍频元件和塞孔阵后形成调制激光阵列；所述调制激光阵列和主激光经所述多个光程调节台调整光程差后透射多个透镜并先后到达至掩膜上并透射；所述主激光的光子能量和调制激光阵列的光子能量皆大于所述掩膜的能带隙；所述吸收光阑吸收所述调制激光阵列并使得透射后的主激光无损耗出射至出射光阑。

2.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，还包括两个主反射镜，第一主反射镜使得调制激光被反射进入所述倍频元件，第二主反射镜调整主激光光路使其经透镜后正入射至所述掩膜。

3.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，所述主激光在掩膜上形成的光斑覆盖所述调制激光阵列在掩膜上形成的光斑。

4.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，还包括陷波滤波器和光束扩展器，所述陷波滤波器和光束扩展器依次位于倍频元件和塞孔阵之间。

5.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，所述倍频元件为非线性光学倍频元件。

6.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，还包括控制器，所述控制器控制所述多个光程调节台调整光程差。

7.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，所述主激光的光子能量比所述掩膜的能带隙大0.1eV~0.25eV。

8.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，所述调制激光阵列的光子能量比所述掩膜的能带隙大1.5eV~3.5eV。

9.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，所述调制激光阵列到达至掩膜皆有时间差。

10.如权利要求9所述的激光退火装置，其特征在于，所述时间差的范围为0.1ns~500ns。

11.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，所述主激光比所述调制激光阵列到达至掩膜迟0.1ns~500ns。

12.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，所述掩膜掺杂有三、五族元素。

13.一种利用如权利要求1~12中任一项所述的激光退火装置进行激光退火的方法，其特征在于，包括：

提供待退火晶圆；

依据所述待退火晶圆的结构通过所述光程调节台调整光程差；

激发激光源，扫描所述待退火晶圆并实时调整光程差。