[发明专利]一种钽酸锂薄膜离子束增强沉积制备工艺方法

权利要求书

1.一种钽酸锂薄膜的离子束增强沉积制备方法，其特征在于，选用以高纯醋酸锂与五氧化二钽为原料烧结成的溅射靶，用高纯Ar气产生的氩离子束对靶材进行轰击，高剂量离子束轰击靶材将产生α态粒子，最后在衬底片上Pt/Ti/SiO₂/Si(100)沉积形成薄膜，采用上述方法制备的离子束增强沉积LiTaO₃薄膜经氧气氛退火，可以获得均匀、致密、高取向的多晶结构LiTaO₃薄膜。

2.根据权利书要求1所述的一种钽酸锂薄膜的离子束增强沉积制备方法，其特征在于，所选用的溅射靶材是以醋酸锂与五氧化二钽为原料烧结而成，溅射前腔体的本底真空度为5×10^-3pa，所用衬底片为Pt/Ti/SiO₂/Si(100)；溅射离子源所用离子源气体为Ar气。

3.根据权利书要求1所述的一种钽酸锂薄膜的离子束增强沉积制备方法，其特征在于，所述离子束增强沉积中，离子束增强沉积制备钽酸锂薄膜的主要工艺参数为：样品自转角速度10～20r/min、公转角速度5～10r/min、氩气流速10～18cm³/s、工作腔体压力1～4.5×10^-2pa、灯丝电流8～13A、阳极电流0.8～1.2A、抑制电压100V、溅射源高压：2500V、高压电流60～70mA。

4.根据权利书要求1所述的一种钽酸锂热释电薄膜的离子束增强沉积制备方法，其特征在于，所述热处理中，退火气氛为O₂，流量为1.5～2L/min，退火过程分两段：第一段为低温退火，退火温度设定为200～250℃，温度保持时间为4～5min，第二段为高温结晶退火，退火温度设为550℃～650℃，高温保持时间为5～10min，低温与高温之间的温度上升率为15～20℃/s。