[发明专利]钨膜的成膜方法

权利要求书

1.一种钨膜的成膜方法，其特征在于，其为在处理容器内、在减压环境下对基板进行加热并且在基板的表面上形成钨膜的成膜方法，该钨膜的成膜方法具有如下工序：

隔着所述处理容器内的吹扫而交替重复进行向所述处理容器内供给作为钨原料的WF₆气体、和供给作为还原气体的H₂气体，从而在基板的表面上形成用于生成钨的核的初期钨膜的工序；

在所述初期钨膜的表面上吸附含有用于形成核的物质的气体的工序；

向所述处理容器内供给作为钨原料的WF₆气体和作为还原气体的H₂气体，形成阻断所述初期钨膜的结晶性的结晶性阻断钨膜的工序；和

在所述结晶性阻断钨膜成膜结束后，停止WF₆气体的供给，升高所述处理容器内的压力后，在与所述结晶性阻断钨膜的成膜时相比更高的压力下，与所述结晶性阻断钨膜的成膜时相比增多WF₆气体的流量来供给WF₆气体和H₂气体，从而形成主钨膜的工序。

2.一种钨膜的成膜方法，其特征在于，其为在处理容器内、在减压环境下对基板进行加热并且在基板的表面上形成钨膜的成膜方法，该钨膜的成膜方法具有如下工序：

隔着所述处理容器内的吹扫而交替重复进行向所述处理容器内供给作为钨原料的WF₆气体、和供给作为还原气体的H₂气体，从而在基板的表面上形成用于生成钨的核的初期钨膜的工序；

向所述处理容器内供给作为钨原料的WF₆气体和作为还原气体的H₂气体，形成阻断所述初期钨膜的结晶性的结晶性阻断钨膜的工序；和

在所述结晶性阻断钨膜成膜结束后，停止WF₆气体的供给，升高所述处理容器内的压力后，在与所述结晶性阻断钨膜的成膜时相比更高的压力下，与所述结晶性阻断钨膜的成膜时相比增多WF₆气体的流量来供给WF₆气体和H₂气体，从而形成主钨膜的工序。

3.一种钨膜的成膜方法，其特征在于，其为在处理容器内、在减压环境下对基板进行加热并且在基板的表面上形成钨膜的成膜方法，该钨膜的成膜方法具有如下工序：

隔着所述处理容器内的吹扫而交替重复进行向所述处理容器内供给作为钨原料的WF₆气体、和供给作为还原气体的H₂气体，从而在基板的表面上形成用于生成钨的核的初期钨膜的工序；

在所述初期钨膜的表面上吸附含有用于形成核的物质的气体的工序；和

向所述处理容器内供给作为成膜原料的WF₆气体和作为还原气体的H₂气体，在吸附了所述含有用于形成核的物质的气体后的基板上形成主钨膜的工序。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，所述结晶性阻断钨膜成膜结束后、直至所述主钨膜成膜为止的时间为20～270秒。

5.根据权利要求1、权利要求2、权利要求4中任一项所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，所述结晶性阻断钨膜的膜厚为0.5～11.5nm。

6.根据权利要求1、权利要求2、权利要求4、权利要求5中任一项所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，所述结晶性阻断钨膜的成膜是使处理容器内的压力为100～26667Pa、WF₆气体的流量为5～200sccm(mL/分钟)、H₂气体的流量为100～12000sccm(mL/分钟)来进行的。

7.根据权利要求1或权利要求3所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，所述吸附气体的工序通过供给作为硅化合物气体的SiH₄气体和H₂气体来进行。

8.根据权利要求1、权利要求3、权利要求7中任一项所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，所述吸附气体的工序进行10秒以上。