[发明专利]金属性结构与光电装置有效

专利信息
申请号: 201210485647.9 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN103138033A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 陈宽任 申请(专利权)人: 陈宽任
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01Q15/24;G02B5/20;G02B5/30
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾台南*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 金属性 结构 光电 装置
【权利要求书】:

1.一种金属性结构,用以对一电磁波进行滤波或偏极化,其中该金属性结构包含:

一可透光介质;

一第一金属性块,设置于该可透光介质中或上:以及

一第二金属性块,设置于该可透光介质中或上并与该第一金属性块实质平行且相距有一预设距离,其中该电磁波入射至该第一金属性块与该第二金属性块上及该第一金属性块与该第二金属性块之间,该电磁波穿过该金属性结构后具一穿透率对波长的分布曲线,该穿透率对波长的分布曲线具有至少一穿透率峰值,该至少一穿透率峰值一对一地分别对应至至少一波长,该预设距离与该第一金属性块的一平均宽度满足下列关系:

d<λ;

0.01λ<w<d;

其中d代表该预设距离;λ代表该至少一波长的其中一者;w代表该第一金属性块的该平均宽度。

2.如权利要求1所述的金属性结构,其中该预设距离与该第一金属性块的该平均宽度满足下列关系:

d+w<λ。

3.如权利要求1所述的金属性结构,其中该第一金属性块的该平均长度满足下列关系:

l<2λ,其中l代表该第一金属性块的该平均长度。

4.如权利要求1所述的金属性结构,其中λ对应至该至少一穿透率峰值中的一者,该至少一穿透率峰值中的该者为一第一穿透率峰值,该第一穿透率峰值大于10%,而该第一穿透率峰值与70%的该第一穿透率峰值间所对应的光谱半宽度小于2λ/3。

5.如权利要求1所述的金属性结构,其中该电磁波包含一范围波长,该范围波长实质介于0.1微米至12微米之间。

6.如权利要求1所述的金属性结构,更包含:

一第三金属性块,设置于该可透光介质中或上并相邻于该第一金属性块和该第二金属性块的一侧。

7.如权利要求6所述的金属性结构,其中该第三金属性块不同时接触该第一金属性块和该第二金属性块。

8.如权利要求6所述的金属性结构,其中该第三金属性块的延伸实质垂直于该第一金属性块和该第二金属性块的延伸。

9.如权利要求6所述的金属性结构,更包含:

一第四金属性块,设置于该可透光介质中或上并相邻于该第一金属性块和该第二金属性块的另一侧。

10.如权利要求9所述的金属性结构,其中该第四金属性块不同时接触该第一金属性块和该第二金属性块。

11.如权利要求9所述的金属性结构,其中该第四金属性块的延伸实质垂直于该第一金属性块和该第二金属性块的延伸。

12.如权利要求9所述的金属性结构,其中该第四金属性块与该第三金属性块间的距离小于2λ。

13.如权利要求9所述的金属性结构,更包含:

一金属性框,设置于该可透光介质中或上,其中该第一金属性块、该第二金属性块、该第三金属性块和/或该第四金属性块位于该金属性框中或与该金属性框部分重迭。

14.一种金属性结构,用以对一电磁波进行滤波或偏极化,其中该金属性结构包含:

一可透光介质;以及

一金属性阵列,设置于该可透光介质中或上,该金属性阵列包含数个阵列单元,每一该些金属性阵列单元包含:

一第一金属性块,设置于该可透光介质中或上:以及

一第二金属性块,设置于该可透光介质中或上并与该第一金属性块实质平行且相距有一预设距离,其中该电磁波入射至该第一金属性块与该第二金属性块之间,该电磁波穿过该金属性结构后具一穿透率对波长的分布曲线,该穿透率对波长的分布曲线具有至少一穿透率峰值,该至少一穿透率峰值分别对应至至少一波长,该预设距离与该第一金属性块的一平均宽度满足下列关系:

d<λ;

0.01λ<w<d;

其中d代表该预设距离;λ代表该至少一波长的其中一者;w代表该第一金属性块的该平均宽度。

15.如权利要求14所述的金属性结构,其中该预设距离与该第一金属性块的一平均宽度满足下列关系:

d+w<λ。

16.如权利要求14所述的金属性结构,其中该第一金属性块的该平均长度满足下列关系:

l<2λ,其中l代表该第一金属性块的该平均长度。

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