[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基板，包括高压区和低压区；

高压晶体管，形成在所述高压区中并包括第一有源区、第一源/漏区、第一栅绝缘层和第一栅电极；和

低压晶体管，形成在所述低压区中并包括第二有源区、第二源/漏区、第二栅绝缘层和第二栅电极，

其中所述第二源/漏区具有比所述第一源/漏区的厚度小的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二源/漏区的底表面处于比所述第一源/漏区的底表面高的水平。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅绝缘层比所述第二栅绝缘层厚。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二栅绝缘层包括具有比所述第一栅绝缘层的介电常数高的介电常数的材料。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一栅绝缘层包括硅氧化物或硅氧氮化物，所述第二栅绝缘层具有比所述第一栅绝缘层高的介电常数，所述第二栅绝缘层包括金属氧化物或金属硅酸盐。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括设置在所述第二栅绝缘层与所述第二有源区之间的界面氧化物层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二栅电极包括具有比所述第一栅电极的电阻率低的电阻率的材料。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二栅电极包括金属或导电金属氮化物。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述第二栅电极的两侧的成对的第二间隔层，其中所述第二栅绝缘层从所述第二栅电极与所述第二有源区之间的空间延伸到所述第二栅电极与所述第二间隔层之间的空间。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括分别限定所述第一有源区和所述第二有源区的第一隔离层和第二隔离层，其中所述第一隔离层的底表面和所述第二隔离层的底表面处于相同的水平。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一隔离层的顶表面处于比所述第二隔离层的顶表面高的水平。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述低压晶体管包括鳍场效应晶体管，其中沟道区形成在所述第二有源区的顶表面和两侧处。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一有源区在所述第一栅电极延伸的方向上的宽度大于所述第二有源区在所述第二栅电极延伸的方向上的宽度。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二源/漏区的掺杂浓度根据深度的变化大于所述第一源/漏区的掺杂浓度根据深度的变化。

15.一种半导体器件，包括：

半导体基板，包括第一区和第二区；

高压晶体管，形成在所述第一区中并包括第一有源区、第一源/漏区、第一栅绝缘层和第一栅电极；和

低压晶体管，形成在所述第二区中并包括第二有源区、第二源/漏区、第二栅绝缘层和第二栅电极，

其中所述第二源/漏区具有比所述第一源/漏区的厚度小的厚度，所述第一栅电极的顶表面和所述第二栅电极的顶表面处于相同的水平。

16.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

制备半导体基板，所述半导体基板包括高压区和低压区，在所述高压区和所述低压区中，分别由第一隔离层和第二隔离层限定第一有源区和第二有源区；

在所述第一有源区和所述第二有源区上形成第一栅绝缘层；

在所述第一有源区中形成第一源/漏区；和

在形成所述第一源/漏区之后，在所述第二有源区中形成厚度小于第一源/漏区的厚度的第二源/漏区。

17.根据权利要求16所述的方法，其中制备所述半导体基板包括：

在所述高压区和所述低压区中形成所述第一隔离层以暴露所述第一有源区的顶表面和所述第二有源区的顶表面；和

通过去除所述第一隔离层的形成在所述低压区中的部分而形成所述第二隔离层以暴露所述第二有源区的侧面的一部分。

18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述第二隔离层包括去除所述第一隔离层的形成在所述低压区中的部分以及形成在所述第二有源区上的所述第一栅绝缘层。