[发明专利]一种在基片上形成AZO膜的装置

权利要求书

1.一种在基片上形成AZO膜的装置，其特征在于：包括

一真空反应系统，包括一真空反应腔；

一放电系统，设于真空反应腔内，包括两平行设置的电极板，用以产生等离子体；

一电源系统，与所述电极板连接并为电极板供电；

一加热温控系统，包括设于真空反应腔内的一电极板上的反应源加热台以及衬底加热台，反应源加热台用以对设于其上的反应源物质进行加热使反应源物质升华成气态，衬底加热台用以对设于其上的基片进行加热；

一气体导入系统，与真空反应腔连接并向真空反应腔内导入载气，该载气用以将升华成气态的反应源物质导至设于衬底加热台上的基片表面；

一压力测量系统，用以测量真空反应腔内的气体压力变化；以及

一抽气系统，与真空反应腔连接并抽吸反应尾气。

2.根据权利要求1所述的一种在基片上形成AZO膜的装置，其特征在于：所述气体导入系统的出气口伸入真空反应腔内并与所述基片垂直。

3.根据权利要求2所述的一种在基片上形成AZO膜的装置，其特征在于：所述出气口为锥形莲蓬头出气口。

4.根据权利要求1至3任一项所述的一种在基片上形成AZO膜的装置，其特征在于：所述抽气系统包括与真空反应腔依次气路连接的过滤器电磁阀、真空泵以及尾气吸收处理器。

5.根据权利要求4所述的一种在基片上形成AZO膜的装置，其特征在于：所述气体导入系统包括分别与真空反应腔连接的氩气瓶和氮气瓶，氩气瓶和氮气瓶与真空反应腔的连接气路上分别连接有减压阀和流量计。

6.根据权利要求5所述的一种在基片上形成AZO膜的装置，其特征在于：所述压力测量系统包括用以测量真空压力上限值的电离真空计管和用以测量真空压力下限值的皮拉尼规管。

7.根据权利要求6所述的一种在基片上形成AZO膜的装置，其特征在于：还包括控制系统，该控制系统与所述加热温控系统、压力测量系统、以及流量计电连接。

8.根据权利要求7所述的一种在基片上形成AZO膜的装置，其特征在于：所述真空反应腔是直径为400mm、高度为320mm的真空筒体。

9.根据权利要求8所述的一种在基片上形成AZO膜的装置，其特征在于：所述电极板是20cm*20cm的方形铜板，两电极板间的距离为5~10cm。

10.根据权利要求9所述的一种在基片上形成AZO膜的装置，其特征在于：所述电源系统为高频电源，其频率在50KHZ~2.45GHZ之间，通常取40MHZ，最大输出功率为1KW。