[发明专利]存储元件和存储装置无效
| 申请号： | 201210487968.2 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103137854A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山彻哉;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
1.一种存储元件，包括：
分层结构，该分层结构包括：
存储层，其具有与膜面垂直的磁化，其中，该磁化的方向取决于信息而改变，该磁化的方向通过在所述分层结构的层压方向上施加电流而被改变，从而将所述信息记录在所述存储层中，
磁化固定层，其具有成为所述存储层中所存储的信息的基础的、与膜面垂直的磁化，并且具有包括非磁层和至少两个铁磁层的层压铁钉合结构，所述非磁层包括Cr，以及
中间层，其由非磁材料形成，并且被设置在所述存储层和所述磁化固定层之间。
2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，
在所述磁化固定层的那些铁磁层中，与所述中间层相接触的一个铁磁层包括作为磁材料的Co-Fe-B。
3.根据权利要求1所述的存储元件，其中，
所述磁化固定层中的所述非磁层是单层Cr。
4.根据权利要求1所述的存储元件，其中，
在所述磁化固定层中的所述非磁层中，层压有Ru层和Cr层。
5.一种存储装置，包括：
存储元件，被配置为保持取决于磁材料的磁化状态的信息，并且包括分层结构，该分层结构包括：
存储层，其具有与膜面垂直的磁化，其中，该磁化的方向取决于信息而改变，该磁化的方向通过在所述分层结构的层压方向上施加电流而被改变，从而将所述信息记录在所述存储层中，
磁化固定层，其具有成为所述存储层中所存储的信息的基础的、与膜面垂直的磁化，并且具有包括非磁层和至少两个铁磁层的层压铁钉合结构，所述非磁层包括Cr，以及
中间层，其由非磁材料形成，并且被设置在所述存储层和所述磁化固定层之间，以及
彼此相交并夹住所述存储元件的两种互连件，通过这些互连件，层压方向上的所述电流流向所述存储元件。
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