[发明专利]一种光刻胶做厚的方法无效
| 申请号： | 201210488190.7 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103838087A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李玉华 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;B05D7/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 胶做厚 方法 | ||
1.一种光刻胶做厚的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供待涂布的半导体晶片，向所述静止状态下的半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出RRC，以旋转速度R1旋转所述的半导体晶片；
增加旋转速度到R2，并向所述的半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出光刻胶；
降低旋转速度到R3为200RPM～500RPM，旋转5s～15s进行预匀胶；
增加旋转速度到R4进行匀胶；
降低旋转速度到R5进行边洗；
以旋转速度R6对背面进行清洗；
以旋转速度R7再次进行边洗；
以旋转速度R8甩干清洗溶剂。
2.根据权利要求1所述的光刻胶做厚的方法，其特征在于：所述的旋转速度R1为1500RPM～2500RPM，旋转0.5s～1.5s。
3.根据权利要求1所述的光刻胶做厚的方法，其特征在于：所述的旋转速度R2为3000RPM～4500RPM，旋转0.1s～1.0s。
4.根据权利要求1所述的光刻胶做厚的方法，其特征在于：所述的旋转速度R4为1000RPM～3000RPM，旋转10s～25s。
5.根据权利要求1所述的光刻胶做厚的方法，其特征在于：所述的旋转速度R5为1000RPM～2000RPM，旋转1.5s～3s。
6.根据权利要求1所述的光刻胶做厚的方法，其特征在于：所述的旋转速度R6为1000RPM～2000RPM，旋转3s～7s。
7.根据权利要求1所述的光刻胶做厚的方法，其特征在于：所述的旋转速度R7为1000RPM～2000RPM，旋转1.5s～3s。
8.根据权利要求1所述的光刻胶做厚的方法，其特征在于：所述的旋转速度R8为1000RPM～2000RPM，旋转5s～10s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210488190.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钉钉护手器
- 下一篇：一种微小图形制备方法
