[发明专利]存储元件和存储设备

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

层叠结构，包括：

存储层，其具有与膜表面垂直的磁化，并且磁化方向取决于信息而变化，并包括Co-Fe-B磁性层，通过在所述层叠结构的层叠方向施加电流而改变所述磁化方向以在所述存储层中记录所述信息，

磁化固定层，其具有与成为存储在所述存储层中的信息的基准的膜表面垂直的磁化，以及

中间层，其由非磁性材料形成，并设置在所述存储层和所述磁化固定层之间；

第一氧化层，其至少形成在与所述存储层接触的所述中间层和所述存储层之间的界面上；以及

第二氧化层，其至少形成在位于所述中间层相反的一侧与所述存储层接触的不同层和所述存储层之间的界面上，所述不同层的所述第二氧化层是包含Li的Li基氧化层。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中

所述Li基氧化层包括由Al、Si、Cu、Mg、P、B和C中的至少一者和Li构成的氧化物。

3.根据权利要求1所述的存储元件，其中

所述Li基氧化层包括由Li和氧构成的氧化物。

4.根据权利要求1所述的存储元件，其中

至少所述中间层的与所述存储层接触的界面包括MgO膜。

5.根据权利要求1所述的存储元件，其中

所述存储层包括所述Co-Fe-B磁性层和至少一个非磁性层，并且

还包括：层叠形成氧化层、所述Co-Fe-B磁性层和所述非磁性层的层叠结构。

6.根据权利要求5所述的存储元件，其中

所述层叠结构由所述中间层的所述氧化层、所述存储层的所述Co-Fe-B磁性层和所述存储层的所述非磁性层形成。

7.根据权利要求5所述的存储元件，其中

所述层叠结构由所述不同层的所述Li基氧化层、所述存储层的所述Co-Fe-B磁性层和所述存储层的所述非磁性层形成。

8.一种存储设备，包括：

存储元件，其具有层叠结构，包括：

存储层，其具有与膜表面垂直的磁化，并取决于信息而改变磁化方向，并包括Co-Fe-B磁性层，通过在所述层叠结构的层叠方向施加电流而改变所述磁化方向以在所述存储层中记录所述信息，

磁化固定层，其具有与成为存储在所述存储层中的信息的基准的膜表面垂直的磁化，以及

中间层，其由非磁性材料形成，并设置在所述存储层和所述磁化固定层之间；

第一氧化层，其至少形成在与所述存储层接触的所述中间层和所述存储层之间的界面上；

第二氧化层，其至少形成在位于所述中间层相反的一侧与所述存储层接触的不同层和所述存储层之间的界面上，所述不同层的所述第二氧化层是包含Li的Li基氧化层；以及

彼此相交且夹着所述存储元件的两个类型的互连，电流在层叠方向上通过所述互连流到所述存储元件。