[发明专利]一种二硼化镁超导波荡器有效
| 申请号： | 201210488830.4 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102945722A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 张正臣;许皆平;李炜;崔剑;李明;江勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 主分类号： | H01F6/06 | 分类号： | H01F6/06;G21K1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二硼化镁 超导 波荡 | ||
【权利要求书】：
1.一种二硼化镁超导波荡器，其特征在于，所述波荡器包括：
两列纵向间隔且平行排列的超导线圈阵列，每列所述超导线圈阵列包括一高导磁线圈骨架、轴向间隔且相互平行地围绕设置在所述高导磁线圈骨架表面的2n+1个导磁挡板，以及绕制在所述高导磁线圈骨架表面并位于相邻两个导磁挡板之间的2n个二硼化镁超导线圈绕组，其中，n为自然数；以及
向所述二硼化镁超导线圈绕组供电的直流电源，该直流电源的电流方向以使两个相邻所述二硼化镁超导线圈绕组产生的磁感应强度大小相同、方向相反的方式设置。
2.根据权利要求1所述的二硼化镁超导波荡器，其特征在于，所述高导磁线圈骨架的表面为平滑过渡的曲面，且所述表面上开设有用于嵌置所述导磁挡板的凹槽。
3.根据权利要求1或2所述的二硼化镁超导波荡器，其特征在于，所述导磁挡板为C形的导磁挡板，且所述两列超导线圈阵列上的导磁挡板的开口相背设置。
4.根据权利要求3所述的二硼化镁超导波荡器，其特征在于，所述高导磁线圈骨架为一体成型的柱状体。
5.根据权利要求1、2或4所述的二硼化镁超导波荡器，其特征在于，所述两列超导线圈阵列之间的间隙的取值范围为5～10mm。
6.根据权利要求5所述的二硼化镁超导波荡器，其特征在于，所述自然数n的取值范围为5～200。
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