[发明专利]存储元件和存储装置

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

分层结构，该分层结构包括：

存储层，其具有与膜面垂直的磁化，其中，该磁化的方向取决于信息而改变，该磁化的方向通过在所述分层结构的层压方向上施加电流而被改变，从而将所述信息记录在所述存储层中，

磁化固定层，其具有成为所述存储层中所存储的信息的基础的、与膜面垂直的磁化，具有包括非磁层和至少两个铁磁层的层压铁钉合结构，并且包括形成在所述至少两个铁磁层中的任一者上的反铁磁氧化层，以及

中间层，其由非磁材料形成，并且被设置在所述存储层和所述磁化固定层之间。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

在所述磁化固定层的铁磁层中，与所述中间层相接触的那个铁磁层包括作为磁材料的Co-Fe-B。

3.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

所述反铁磁氧化层是Co-O层。

4.一种存储装置，包括：

存储元件，被配置为保持取决于磁材料的磁化状态的信息并且包括分层结构，该分层结构包括：

存储层，其具有与膜面垂直的磁化，其中，该磁化的方向取决于信息而改变，该磁化的方向通过在所述分层结构的层压方向上施加电流而被改变，从而将所述信息记录在所述存储层中，

磁化固定层，其具有成为所述存储层中所存储的信息的基础的、与膜面垂直的磁化，具有包括非磁层和至少两个铁磁层的层压铁钉合结构，并且包括形成在所述至少两个铁磁层中的任一者上的反铁磁氧化层，以及

中间层，其由非磁材料形成，并且被设置在所述存储层和所述磁化固定层之间，以及

层压结构，在该结构中，氧化层、Co-Fe-B磁层和所述非磁层以此顺序被层压；以及

彼此相交的、夹着所述存储元件的两种互连件，通过这些互连件，层压方向上的所述电流流向所述存储元件。