[发明专利]一种实现低压供电芯片检测高电压的电路无效

专利信息
申请号: 201210488990.9 申请日: 2012-11-26
公开(公告)号: CN103837726A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 李程 申请(专利权)人: 西安威正电子科技有限公司
主分类号: G01R15/04 分类号: G01R15/04
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 刘国智
地址: 710077 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 实现 低压 供电 芯片 检测 电压 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及电压检测技术领域,特别涉及一种实现低压供电芯片检测高电压的电路。

背景技术

在电压检测过程中,如果被测电压高于检测芯片的供电电压,则无法直接将被测电压输入到检测芯片,以免烧毁芯片。

发明内容

为了克服上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种实现低压供电芯片检测高电压的电路,利用分立器件来比例降低被测电压,且同时被测电压保持驱动能力。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:

一种实现低压供电芯片检测高电压的电路,待测信号S1通过电阻R1接三极管Q1的基极,三极管Q1的基极同时通过电阻R2接地,三极管Q1的集电极接地,发射极作为信号输出端,信号输出端通过电阻R3接VCC。

与现有技术相比,本发明能够实现对待测电压的降低,保证检测芯片的安全性。

附图说明

附图为本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行更详尽的说明。

如图所示,本发明为一种实现低压供电芯片检测高电压的电路,待测信号S1通过电阻R1接三极管Q1的基极,三极管Q1的基极同时通过电阻R2接地,三极管Q1的集电极接地,发射极作为信号输出端,信号输出端通过电阻R3接VCC。

本发明输入电压VIN经过电阻R1/R2的分压后,作用于三极管Q1的基极,使得三极管Q1的射极电压,即VOUT=S1*R2/(R1+R2)+0.7V,从这个公式上可以看出,当S1超出VCC供电时,VOUT和S1成比例的变化。利用于此就可以使用较低VCC供电的芯片来检测S1等比VCC电压高的信号。

该电路中需要注意的是,S1经过R1/R2的分压后,其Q1的基极电压必须小于VCC,都则Q1不能导通,电路不能发挥作用。

由于有Q1的存在,相对于高阻R1和R2分压后的电压驱动能力强了很多,利于检测信号驱动相关电路动作。

现有方案中由于没有Q1等元件,使得S1信号不能直接被VCC供电的芯片检测,功能无法实现。

本发明的电路完全由三极管、电阻、电容组成,被测试信号S1通过转换,形成VOUT输入到检测芯片,保证检测的准确性和电路的安全性。

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