[发明专利]一种用于电容式触摸屏的透明导电膜层

权利要求书

1.一种用于电容式触摸屏的透明导电膜层，其特征在于，所述透明导电膜层包括基板（100），附着在基板上的石墨烯透明导电层（201），以及沉积在石墨烯材料上的透明导电氧化物膜层（202）。

2.如权利要求1所述的透明导电膜层，其特征在于，所述石墨烯透明导电层（201）的厚度为0.3-1.5nm；

优选地，所述石墨烯透明导电层（201）的原子层数为1-5层，优选1-3层，进一步优选2-3层；所述石墨烯透明导电层（201）的可见光的光学透过率≥85%。

3.如权利要求1或2所述的透明导电膜层，其特征在于，所述透明导电氧化物膜层（202）的厚度为50-200nm；

优选地，所述透明导电氧化物膜层（202）的材料选自AZO薄膜或FTO膜。

4.如权利要求1-3之一所述的透明导电膜层，其特征在于，所述基板（100）的厚度为0.3-2mm，优选0.3-1.1mm；

优选地，所述基板（100）为玻璃基板或PET基板。

5.一种如权利要求1-4之一所述的电容式触摸屏的透明导电膜层的制备方法，其特征在于，所述方法为在基板上转印石墨烯薄膜，然后在所述的石墨烯薄膜上沉积氧化物膜，得到结构为氧化物膜/石墨烯薄膜/基板的透明导电膜层，将其进行刻蚀，得到用于电容式触摸屏的透明导电膜层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

（1）制备石墨烯薄膜；

（2）将步骤（1）制得的石墨烯薄膜转印到基板上，得到石墨烯薄膜/基板的层状结构；

（3）在步骤（2）得到的石墨烯薄膜/基板的层状结构上沉积氧化物膜，得到结构为氧化物膜/石墨烯薄膜/基板的透明导电膜层；

（4）将步骤（3）得到的结构为氧化物膜/石墨烯薄膜/基板的透明导电膜层进行图案化，得到用于电容式触摸屏的透明导电膜层。

7.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述石墨烯的制备方法选自化学气相沉积法、化学分散法或加热SiC法中的任意1种，优选化学气相沉积法；

优选地，步骤（1）所述石墨烯的制备方法为化学气相沉积法，具体为在800-1000℃下裂解碳源性气体，在衬底表面生长石墨烯薄膜；所述衬底优选为铜箔；

优选地，步骤（1）所述石墨烯薄膜的原子层数为1-5层，优选1-3层，进一步优选2-3层；所述石墨烯薄膜的厚度为0.3-1.5nm。

8.如权利要求5-7之一所述的方法，其特征在于，步骤（2）所述石墨烯的转印方法选自聚甲基丙烯酸甲酯转移法、热释放胶带转移法或聚二甲基硅氧烷转移法中的任意1种，优选聚甲基丙烯酸甲酯转移法。

9.如权利要求5-8之一所述的方法，其特征在于，步骤（3）所述氧化物膜为AZO薄膜或FTO膜；

优选地，步骤（3）所述氧化物膜的厚度为50-200nm；

优选地，步骤（3）所述氧化物膜的沉积方法选自PVD方法中的任意1种，优选自真空蒸发沉积镀膜、溅射沉积镀膜、离子镀沉积镀膜中的任意1种，进一步优选溅射沉积镀膜法；

优选地，步骤（3）所述溅射沉积镀膜的工艺条件为：真空度0.3~0.6Pa，电压200~600V，靶的材料为：AZO陶瓷靶材或FTO陶瓷靶材，工作气体：氩气；

优选地，步骤（4）所述图案化选自光刻或激光刻蚀，优选激光刻蚀。