[发明专利]用于具有可编程温度斜率的电流的电路

权利要求书

1.一种电路，包括

电流基准电路，其被配置成生成基准电流，该基准电流具有可编程温度斜率，其中所述电流基准电路包括：

电阻器；

带隙电压电路，其被配置成生成带隙电压并且耦合到所述电阻器；以及

偏置电压电路，其被配置成生成极性可变的偏置电压并且耦合到所述带隙电压电路，

其中所述带隙电压电路被配置成将所述极性可变的偏置电压添加到所述带隙电压，以生成通过所述电阻器的所述基准电流。

2.如权利要求1所述的电路，其中所述电流基准电路还包括电流镜，该电流镜耦合到所述带隙电压电路并且被配置成将具有可编程温度斜率的所述电流施加到负载。

3.如权利要求2所述的电路，其中所述负载是用于非易失性存储单元的电流感测电路的一部分，并且具有所述可编程温度斜率的所述电流是电流感测电路的电流基准，针对该电流基准对感测窗进行设置，用于最佳地感测贯穿非易失性存储单元的电流。

4.如权利要求2所述的电路，其中所述电流镜包括

第一场效应晶体管（FET），其耦合到所述带隙电压电路的一个端子，以形成第一支路；

第二FET，其耦合到所述电阻器的第一端子，其中所述电阻器的第二端子耦合到所述带隙电压电路的第二端子，以形成第二支路；以及

第三FET，其耦合到所述第一FET和所述第二FET，并且被配置成将所生成的具有所述可编程温度斜率的电流施加到所述负载。

5.如权利要求2所述的电路，其中所述电流基准电路还包括运算放大器，用于将所述电流镜的第一支路和第二支路设置到共同的电势。

6.如权利要求1所述的电路，其中所述偏置电压电路包括数字-模拟转换器，该数字-模拟转换器耦合到所述带隙电压电路。

7.如权利要求1所述的电路，其中所述偏置电压电路包括可编程的分压器，该可编程的分压器耦合到所述带隙电压电路。

8.一种电路，包括：

电流基准电路，其被配置成生成基准电流，该基准电流具有可编程温度斜率，其中所述电流基准电路包括：

电阻器；

带隙电压电路，其被配置成生成带隙电压并且耦合到所述电阻器；

偏置电压电路，其被配置成生成偏置电压并且耦合到所述带隙电压电路；以及

至少一个开关，其耦合在所述偏置电压电路与所述带隙电压电路之间，并且被配置成改变被施加到所述带隙电压电路的偏置端子的所述偏置电压的极性，

其中所述带隙电压电路被配置成将所述偏置电压添加到所述带隙电压，以生成通过所述电阻器的所述基准电流。

9.如权利要求8所述的电路，其中所述电流基准电路还包括电流镜，该电流镜耦合到所述带隙电压电路，并且被配置成将具有可编程温度斜率的所述电流施加到负载。

10.如权利要求8所述的电路，其中所述负载是用于非易失性存储单元的电流感测电路的一部分，并且具有所述可编程温度斜率的所述电流是电流感测电路的电流基准，针对该电流基准对感测窗进行设置，用于最佳地感测贯穿非易失性存储单元的电流。

11.如权利要求8所述的电路，其中所述电流镜包括

第一场效应晶体管（FET），其耦合到所述带隙电压电路的一个端子，以形成第一支路；

第二FET，其耦合到所述电阻器的第一端子，其中所述电阻器的第二端子耦合到所述带隙电压电路的第二端子，以形成第二支路；以及

第三FET，其耦合到所述第一FET和所述第二FET，并且被配置成将所生成的具有所述可编程温度斜率的电流施加到所述负载。

12.如权利要求8所述的电路，其中所述电流基准电路还包括运算放大器，用于将所述电流镜的第一支路和第二支路设置到共同的电势。

13.如权利要求8所述的电路，其中所述偏置电压电路包括耦合到所述带隙电压电路的数字-模拟转换器。

14.如权利要求8所述的电路，其中所配置的所述偏置电压电路还包括耦合到所述带隙电压电路的可编程的分压器。