[发明专利]显示设备有效
申请号: | 201210490812.X | 申请日: | 2012-11-27 |
公开(公告)号: | CN103137652A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 冈本薰;木户滋;大塚学;佐藤信彦 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李晓芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
技术领域
本发明涉及显示设备,具体地涉及包括有机电致发光(EL)元件的有机EL显示设备。
背景技术
近年来,包括有机EL元件作为自发光设备的有机EL显示设备已经作为平板显示器引起人们的注意。这里,有机EL元件是具有一对电极和放置在该对电极之间的有机化合物层的电子元件,并且有机EL显示设备是使用有机EL元件作为显示元件的显示设备。
在顶部发射类型的显示设备中,需要相对于有机化合物层更接近于基板侧提供的下电极具有高反射率以用于提高设备的光提取效率。诸如铝或银之类的具有高反射率的金属材料被用作用于下电极的材料,并且该材料被形成为具有30nm或更大的厚度的层,以便可以获得该材料固有的反射率。当通过在具有30nm或更大的厚度的下电极上叠加有机化合物层和上电极来形成有机EL元件时,有机化合物层在下电极的端部分(是指上端部分、下端部分和侧壁部分)处变薄。这样的有机EL元件的下电极和上电极之间的电压的施加引起电流集中于下电极的端部分上的现象。结果,出现以下问题。有机化合物层在端部分处的发射强度变得大于它在除端部分之外的平坦部分处的发射强度,因此在同一个发光像素中出现局部亮度不均匀。
到现在为止已经提出了几个方法作为用于解决该问题的方法。日本专利申请公开No.2003-332082公开了其中下电极的所有上端部分被成圆形地切削以使得电场可以不集中在上端部分的显示设备。此外,日本专利申请公开No.2005-327694公开了其中通过将下电极的上端部分处理成锥形形状来倾斜下电极的侧表面的显示设备。
但是,甚至在像日本专利申请公开No.2003-332082和日本专利申请公开No.2005-327694那样处理下电极的上端部分的情况下,与在没有处理上端部分的情况下一样,要在下电极上形成的有机化合物层的厚度往往会在上端部分处小于在作为下电极的上表面的平坦部分处。因此,与下电极的平坦部分相比较,电流更有可能集中在下电极的上端部分,这样的趋势没有改变。此外,电流集中在下电极的上端部分中使得该层在上端部分处的发射强度大于它在下电极的平坦部分处的发射强度。因此,在同一发光像素中的局部亮度不均匀的问题仍然存在。
此外,有机EL元件的电流效率和色度基本上根据构成该元件的有机化合物层的厚度而变化。因此,当要在下电极上形成的有机化合物层的厚度由于下电极的状态而不均匀时,实际上引起电流流过有机化合物层可能引起元件的发光效率降低或它的色纯度恶化。
发明内容
本发明已被做出来解决该问题并且本发明的一个目的是提供发光效率和色纯度改善的显示设备。
本发明的显示设备包括:基板;和在该基板上提供的多个像素,每个所述像素具有通过将在基板上提供的下电极、有机化合物层和上电极依次叠加而获得的有机EL元件,以及所述下电极包括对于每个像素在所述基板上独立地放置的电极,其中:所述下电极包括在所述基板上提供的第一下电极层和在第一下电极层上的区域中提供的第二下电极层,所述区域避开端部分;所述有机化合物层和所述上电极覆盖第一下电极层和第二下电极层;以及从第二下电极层到有机化合物层中的电荷注入性质大于从第一下电极层的端部分到有机化合物层中的电荷注入性质。
根据本发明,可以提供发光效率和色纯度改善的显示设备。也就是说,本发明的显示设备使得从构成下电极的第一下电极层到有机化合物层中的电荷注入性质小于从第二下电极层到有机化合物层中的电荷注入性质。结果,可以使得电流难以流入第一下电极层和有机化合物层彼此接触的下电极的端部分中。
此外,使用具有大的到有机化合物层中的电荷注入性质的材料作为用于第二下电极层的构成材料可以便于电流流入下电极的平坦部分(下电极的厚度基本恒定的区域)中。
因此,可以获得比现有技术的光发射更均匀的光发射,而不管发光像素中的下电极的厚度和其端部分的形状如何。
本发明的进一步的特征通过参考附图对示范性实施例的以下描述将变得清楚。
附图说明
图1是示出了根据本发明的第一实施例的显示设备的示意性剖面图。
图2是示出了根据本发明的第二实施例的显示设备的示意性剖面图。
图3A、3B、3C、3D、3E、3F和3G是示出了用于示例1中的显示设备的制造过程的示意性剖面图;
图4A、4B、4C、4D、4E、4F、4G、4H、4I和4J是示出了用于示例2中的显示设备的制造过程的示意性剖面图。
具体实施方式
现在根据附图详细描述本发明的优选实施例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的