[发明专利]太阳能电池组件的制造方法及太阳能电池组件无效
申请号: | 201210490965.4 | 申请日: | 2012-11-27 |
公开(公告)号: | CN103165684A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 黑宫未散;奥村智洋 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池组件,其特征在于,
具有:
多个太阳能电池单元、
将相邻的所述太阳能电池单元电连接的连接体、
覆盖所述太阳能电池组件的受光面并含有碱金属和/或碱土金属元素的透过性构件、
形成于所述透过性构件上、由二氧化硅及硅氧烷以及所述二氧化硅的空隙构成的第一防反射膜、以及
形成于所述第一防反射膜表面、由所述二氧化硅及所述硅氧烷构成的第二防反射膜,
所述二氧化硅的粒径为5~50nm。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于,
所述二氧化硅与所述硅氧烷的含量的比为二氧化硅∶硅氧烷=80∶20~95∶5。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池组件,其特征在于,
所述第二防反射膜的膜厚为所述第一防反射膜的膜厚与所述第二防反射膜的膜厚的合计的10%以下。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的太阳能电池组件,其特征在于,
在所述第一防反射膜中,与所述透过性构件的界面处的空隙率大于与所述第二防反射膜的界面处的空隙率。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的太阳能电池组件,其特征在于,
在所述第二防反射膜中也具有所述空隙,所述第二防反射膜的空隙率小于所述第一防反射膜的与所述第二防反射膜的界面处的空隙率。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的太阳能电池组件,其特征在于,
在设为n=所述第一防反射膜与所述第二防反射膜的平均折射率、d=所述第一防反射膜的膜厚与所述第二防反射膜的膜厚的合计膜厚、λ=向所述太阳能电池单元入射的入射光的平均波长的情况下,满足2nd=λ/2的关系。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的太阳能电池组件,其特征在于,
所述第一防反射膜的膜厚与所述第二防反射膜的膜厚的合计膜厚为100~200nm。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的太阳能电池组件,其特征在于,
所述第二防反射膜的表面粗糙度为2.5nm以下。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的太阳能电池组件,其特征在于,
所述第一防反射膜及所述第二防反射膜具有硅氧烷键。
10.一种太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,
具有:
在多个太阳能电池单元的受光面上形成含有碱金属和/或碱土金属元素的透过性构件的工序;
在所述透过性构件上将聚硅氧烷及二氧化硅粒子以及有机溶剂的混合物干燥、烧结而形成防反射膜前驱体的工序;
对所述防反射膜前驱体进行热干燥而形成由二氧化硅及硅氧烷以及所述二氧化硅的空隙构成的第一防反射膜的工序;
对所述第一防反射膜表面进行瞬间热处理而将所述二氧化硅粒子熔融,形成含有所述二氧化硅及所述硅氧烷的第二防反射膜的工序,
其中,所述二氧化硅的粒径为5~50nm。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,
作为所述瞬间热处理,进行等离子体炬法、使用激光器或闪光灯的热处理。
12.根据权利要求10或11所述的太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,
所述二氧化硅与所述硅氧烷的含量的比为二氧化硅∶硅氧烷=80∶20~95∶5。
13.根据权利要求10~12中任一项所述的太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,
所述第二防反射膜的膜厚为所述第一防反射膜的膜厚与所述第二防反射膜的膜厚的合计的10%以下。
14.根据权利要求10~13中任一项所述的太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,
在所述第一防反射膜中,与所述透过性构件的界面处的空隙率大于与所述第二防反射膜的界面处的空隙率。
15.根据权利要求10~14中任一项所述的太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,
在所述第二防反射膜中也形成所述空隙,所述第二防反射膜的空隙率小于所述第一防反射膜的与所述第二防反射膜的界面处的空隙率。
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