[发明专利]高密度薄膜混合集成电路的集成方法

权利要求书

1. 一种高密度薄膜混合集成电路的集成方法，其特征是先采用薄膜制作工艺，在陶瓷基片上制作所需薄膜导带、阻带及键合区，完成底座基片及小陶瓷基片的制作，其中，小陶瓷基片与底座基片连接的引脚以薄膜的方式分别从小陶瓷基片的两面制作在与底座基片集成的同一端；接着在引脚键合区和底座基片相应的键合区形成金球；然后，采用薄膜混合集成的方式，在小陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合；最后，将集成后的小陶瓷基片垂直集成在底座基片上，完成高密度薄膜混合集成电路。

2. 如权利要求1 所述的方法，其特征在于所述薄膜是通过磁控溅射或电子束蒸发的方式形成的。

3. 如权利要求1 所述的方法，其特征在于所述导带、阻带、键合区是通过光刻、选择性腐蚀薄膜、激光调阻的方法制作的。

4.  如权利要求1 所述的方法，其特征在于所述小陶瓷基片是采用共晶焊接方式或用金球键合、绝缘粘胶剂加固的方式垂直集成的。

5. 如权利要求1 所述的方法，其特征在于所述金球是采用金丝球键合或丝网印刷金属浆料后用再流焊的方法形成的。