[发明专利]芯片封装以及用于形成芯片封装的方法

说明书

技术领域

各种实施例一般而言涉及一种芯片封装以及一种用于形成芯片封装的方法。

背景技术

（例如，在半导体芯片封装构造的领域中的）芯片嵌入技术对创建封装的各个单独的工艺提出了高要求。在管芯附着工艺期间，困难可能出现，例如关于x-y容差、引线框架偏转（leadframe deflection）和接合线厚度的困难可能出现。其它困难可能出现在源极/漏极和栅极接触部（contact）的沉积中，例如在功率半导体器件的制备期间。其它困难可能出现在针对模块个体化（module individualization）的锯切（sawing）工艺期间。锯切穿过材料的组合（范围从例如针对嵌入材料的树脂到例如铜引线框架）可能引入锯切边缘和杂质。针对要被个体化的封装，大面积的铜（其可以是铜引线框架的部分）通常在工艺链期间被处理，并且因此引线框架的大部分必须通过刻蚀技术被去除。

除了工艺控制和产量损失的困难之外，针对当前的芯片嵌入技术的开发的高成本以及由于大面积铜载体的应用所引起的增加的生产成本可能增添了针对可能投放到半导体市场中的困难。

发明内容

各种实施例提供了一种芯片封装，其中所述芯片封装包括：被配置来承载芯片的芯片载体，被布置在芯片载体侧之上的芯片，其中芯片载体侧被配置为与芯片背面电连接；绝缘材料，所述绝缘材料包括被形成在第一芯片侧面之上的第一绝缘部分、被形成在第二芯片侧面之上的第二绝缘部分以及被形成在芯片正面的至少部分之上的第三绝缘部分，其中第一芯片侧面和第二芯片侧面每个都毗连芯片背面的相对的边缘，其中该芯片正面包括被形成在芯片正面内的一个或多个电接触部；其中第一绝缘部分的至少部分被布置在芯片载体侧之上，并且其中第一绝缘部分被配置为在垂直于第一芯片侧面的方向上比芯片载体延伸得更远。

附图说明

在附图中，遍及不同的视图，同样的参考字符一般而言指的是相同的部分。附图不必是按比例的，而是重点一般被放置在图示本发明的原理上。在下面的描述中，本发明的各种实施例参照下面的附图被描述，其中：

图1提供了根据实施例的用于形成芯片封装的方法；

图2A至2J提供了根据实施例的用于形成芯片封装的方法；

图2J提供了根据实施例的芯片封装；

图2K提供了根据实施例的芯片封装；

图3A至3G提供了根据实施例的用于形成芯片封装的方法；

图3G提供了根据实施例的芯片封装；

图4A至4D提供了根据实施例的用于形成芯片封装的方法；

图4D提供了根据实施例的芯片封装；

图5A和5B提供了根据实施例的用于形成芯片封装的方法；

图5B提供了根据实施例的芯片封装；

图6A至6E提供了根据实施例的用于形成芯片封装的方法；

图6E提供了根据实施例的芯片封装。

具体实施方式

下面的详细描述参考所附附图，其中所述所附附图借助于图示示出了可以实践本发明的特定细节以及实施例。

词“示例性的”在这里被用来意味着“用作例子、实例或说明”。在这里被描述为“示例性的”任何实施例或设计不必被解释为比起其它实施例或设计优选的或有利的。

词“在…之上”（在这里被用来描述在侧或表面“之上”形成特征（例如层））可以被用来意味着该特征（例如该层）可以被“直接地”形成在暗指的侧或表面“上”（例如与暗指的侧或表面直接接触）。词“在…之上”（在这里被用来描述在侧或表面“之上”形成特征（例如层））可以被用来意味着该特征（例如该层）可以被“间接地”形成在暗指的侧或表面“上”，其中一个或多个附加的层被布置在暗指的侧或表面与所形成的层之间。

各种实施例提供了用于嵌入芯片的方法，其中用于把芯片粘附于引线框架的普通管芯附着工艺不再是必需的。

各种实施例提供了用于形成芯片封装的方法，而无需引线框架载体。

各种实施例提供了具有被沉积的芯片背面漏极接触部的芯片封装，从而消除用于把引线框架载体粘附于芯片背面的需求，并且从而消除用于锯切穿过引线框架载体以使被嵌入的芯片个体化的需求。

图1示出了根据实施例的用于形成芯片封装的方法100。所述方法可以包括：