[发明专利]一种低聚物污染的去除方法及系统

权利要求书

1.一种低聚物污染的去除方法，其特征在于采用惰性氧化铝瓷球作为低聚物的过滤材料，沉积在所述过滤材料上的低聚物采用高温蒸汽吹扫清洗。

2.如权利要求1所述的低聚物污染的去除方法，其特征在于对所述过滤材料进行吹扫清洗时的所述高温蒸汽的流量根据设定的过滤设备内的温度最高值和过滤设备内的实际温度值进行控制，从而控制所述过滤设备内的温度。

3.如权利要求2所述的低聚物污染的去除方法，其特征在于对所述过滤材料的吹扫清洗根据所述过滤材料两侧的实际压力差和设定的最高压力差进行控制，当检测的所述过滤材料两侧的实际压力差高于设定的最高压力差时，对所述过滤材料进行吹扫清洗。

4.如权利要求3所述的低聚物污染的去除方法，其特征在于所述惰性氧化铝瓷球为直径8mm的规整球体，所述惰性氧化铝瓷球含三氧化二铝45-70%，其吸水率小于5%，耐酸度大于98%，耐碱度大于85%，莫氏硬度大于7级，耐温度急变的温度值为500℃，堆比重为1500-1600kg/m³。

5.如权利要求1、2、3或4所述的低聚物污染的去除方法，其特征在于采用第一、第二两套过滤设备，一用一备，其中第一过滤设备为使用设备，第二过滤设备为备用设备，当需要对第一过滤设备中的过滤材料进行吹扫清洗时，通过上位机自动控制开启第二过滤设备的气体进出口，关闭第一过滤设备的气体进出口，打开第一过滤设备的排水口，开启第一过滤设备的蒸汽吹扫装置的阀门，通过高温蒸汽对第一过滤设备的过滤材料进行吹扫清洗，清扫结束后，关闭第一过滤设备的蒸汽吹扫装置的阀门和排水口，第一过滤设备转为备用，等待下次使用。

6.一种低聚物污染的去除系统，其特征在于包括过滤罐，所述过滤罐设有进气口和出气口，所述进气口通过进气管道连接尾气发生装置的出气口，所述出气口连接有排气管道，所述进气管道和排气管道上分别设有进气阀门和排气阀门，所述过滤罐内设有过滤层，所述过滤层由过滤材料堆码而成，布满整个过滤罐的径向截面，所述过滤材料为惰性氧化铝瓷球，所述过滤层的上方设有环形蒸汽盘管，所述环形蒸汽盘管通过蒸汽管连接所述过滤罐外的蒸汽发生装置，所述蒸汽管上设有蒸汽阀门，所述环形蒸汽盘管朝向所述过滤层的一侧均匀开设有若干通气孔，所述过滤罐底部设有排水口，通过排水管道连接废水收集装置，所述排水管道上设有排水阀门。

7.如权利要求6所述的低聚物污染的去除系统，其特征在于所述过滤罐设有压差变送器，所述压差变送器的一个压力采集端连接所述进气管道，另一个压力采集端连接所述排气管道，分别采集进气管道和排气管道内的压力并进行比较。

8.如权利要求7所述的低聚物污染的去除系统，其特征在于所述惰性氧化铝瓷球为直径8mm的规整球体，含三氧化二铝45-70%，其吸水率小于5%，耐酸度大于98%，耐碱度大于85%，莫氏硬度大于7级，耐温度急变的温度值为500℃，堆比重为1500-1600kg/m³。

9.如权利要求8所述的低聚物污染的去除系统，其特征在于所述过滤层包括上、下两层，上、下两层的所述过滤层的上方均设有所述蒸汽盘管，上、下两层的所述过滤层的中线处均设有竖直的气体通道，所述过滤罐的进气口设置在所述过滤罐的侧壁上，位置位于上、下两层的所述过滤层的中间，所述过滤罐的出气口设置在所述过滤罐的顶部。

10.如权利要求9所述的低聚物污染的去除系统，其特征在于所述过滤罐内还设有温度传感器，所述过滤罐的数量为两个，一用一备，所述低聚物污染的去除系统还包括用于系统自动控制的上位机，所述上位机分别与所述进气阀门、排气阀门、蒸汽阀门、排水阀门、压差变送器和温度传感器电连接，所述上位机内安装有用于通过所述压差变送器和/或温度传感器检测的信号控制上述各阀门的自动控制程序。