[发明专利]电容式微加工超声换能器制造方法及被检体信息获取装置

权利要求书

1.一种用于制造电容式微加工超声换能器的方法，所述电容式微加工超声换能器具有振动膜、基板和振动膜支撑构件，所述振动膜支撑构件被配置为支撑振动膜以在所述基板与所述振动膜之间形成腔体，所述方法包括以下步骤：

在所述基板的任一面上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层被图案化以充当所述振动膜支撑构件；

把所述振动膜覆盖在被图案化的第一绝缘层上；

在把所述振动膜覆盖在被图案化的第一绝缘层上之后，通过热处理来接合所述第一绝缘层和所述振动膜；以及

在把所述振动膜覆盖在被图案化的第一绝缘层上之后，通过以下操作来在所述基板或所述振动膜的暴露于所述腔体的表面上形成第二绝缘层：通过允许所述腔体与所述电容式微加工超声换能器的外部连通的连通部分将气体引入所述腔体中并且在包含所述气体的气氛中的后续热氧化，其中，

在所述腔体通过所述连通部分与所述电容式微加工超声换能器的外部连通的情况下，在单个加热步骤中通过热处理来接合所述第一绝缘层和所述振动膜并且通过热氧化来形成所述第二绝缘层。

2.如权利要求1所述的用于制造电容式微加工超声换能器的方法，其中，

所述被图案化的第一绝缘层同被配置为充当所述连通部分的组件的连通通道一起形成。

3.如权利要求2所述的用于制造电容式微加工超声换能器的方法，其中，

所述连通部分仅包括所述连通通道。

4.如权利要求1所述的用于制造电容式微加工超声换能器的方法，还包括以下步骤：

向所述基板或所述振动膜提供被配置为充当所述连通部分的组件的连通孔。

5.如权利要求1所述的用于制造电容式微加工超声换能器的方法，还包括以下步骤：

在形成所述第二绝缘层之后形成被配置为阻止所述腔体与所述电容式微加工超声换能器的外部连通的阻挡层。

6.如权利要求1所述的用于制造电容式微加工超声换能器的方法，其中，

所述基板是含硅基板，所述第二绝缘层包含通过所述含硅基板的热氧化而形成的含硅氧化物层。

7.如权利要求1所述的用于制造电容式微加工超声换能器的方法，其中，

所述振动膜是含硅膜，所述第二绝缘层包含通过所述含硅膜的热氧化而形成的含硅氧化物层。

8.如权利要求1所述的用于制造电容式微加工超声换能器的方法，其中，

通过在含氧气氛中的热氧化在所述基板的任一面上形成所述第一绝缘层并且在所述第一绝缘层上的后续蚀刻来形成所述被图案化的第一绝缘层。

9.一种被配置为获得被检体信息的装置，包括：

通过如权利要求1所述的用于制造电容式微加工超声换能器的方法制造的电容式微加工超声换能器，以及

处理单元，被配置为使用从所述电容式微加工超声换能器输出的电信号来获得被检体信息，其中，

所述电容式微加工超声换能器从所述被检体接收声学波，并且把所述声学波转换为所述电信号。