[发明专利]一种用于WOLED的彩色滤光片结构及其制造方法无效
申请号: | 201210493305.1 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN102969334A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 李家豪;连翔琳;陈奎百;廖烝贤 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 woled 彩色 滤光 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于白光有机发光二极管(WOLED,White OrganicLight Emitting Diode)的彩色滤光片结构,其特征在于,所述彩色滤光片结构包括:
一玻璃基板;
一黑色矩阵图案层,位于所述玻璃基板的上方,所述黑色矩阵图案层包括多个间隔分布的黑矩阵;以及
一像素层,包括一红色子像素、一绿色子像素、一第一蓝色子像素和一第二蓝色子像素,其中,所述红色子像素、所述绿色子像素、所述第一蓝色子像素和所述第二蓝色子像素中的每一子像素均设置于相邻的黑矩阵之间,
其中,所述第二蓝色子像素的薄膜厚度小于所述第一蓝色子像素的薄膜厚度。
2.根据权利要求1所述的彩色滤光片结构,其特征在于,所述白光有机发光二极管光源通过所述第二蓝色子像素后的色温介于5500K~13000K之间。
3.根据权利要求2所述的彩色滤光片结构,其特征在于,所述白光有机发光二极管光源通过所述第二蓝色子像素的色温为T2且未通过所述第二蓝色子像素的色温为T1,则T2与T1满足:
T2-T1>2000K。
4.根据权利要求1所述的彩色滤光片结构,其特征在于,所述彩色滤光片结构还包括一保护层(OC,Over Coat),位于所述像素层的上方,并用以填平所述像素层。
5.一种用于白光有机发光二极管(WOLED,White OrganicLight Emitting Diode)的彩色滤光片结构的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:
提供一玻璃基板;
形成一黑色矩阵图案层于所述玻璃基板的上方,其中,该黑色矩阵图案层包括多个间隔分布的黑矩阵;
形成一红色子像素、一绿色子像素和一第一蓝色子像素于相邻的黑矩阵之间;以及
形成一第二蓝色子像素于相邻的黑矩阵之间,其中,所述红色子像素、所述绿色子像素、所述第一蓝色子像素和所述第二蓝色子像素构成一像素层,并且所述第二蓝色子像素的薄膜厚度小于所述第一蓝色子像素的薄膜厚度。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,该制造方法还包括:
形成一保护层于所述像素层的上方,从而填平所述像素层。
7.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述白光有机发光二极管光源通过所述第二蓝色子像素后的色温介于5500K~13000K之间。
8.一种用于白光有机发光二极管(WOLED,White OrganicLight Emitting Diode)的彩色滤光片结构的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:
提供一玻璃基板;
形成一黑色矩阵图案层于所述玻璃基板的上方,其中,该黑色矩阵图案层包括多个间隔分布的黑矩阵;
形成一红色子像素和一绿色子像素,所述红色子像素和所述绿色子像素均位于相邻的黑矩阵之间;
涂布一蓝色阻层于所述红色子像素和绿色子像素的上方;
采用半调光制程(half tone)形成一第一蓝色子像素和一第二蓝色子像素,其中,所述红色子像素、所述绿色子像素、所述第一蓝色子像素和所述第二蓝色子像素构成一像素层,所述第二蓝色子像素的薄膜厚度小于所述第一蓝色子像素的薄膜厚度。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,该制造方法还包括:
形成一保护层于所述像素层的上方,从而填平所述像素层。
10.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述白光有机发光二极管光源通过所述第二蓝色子像素后的色温介于5500K~13000K之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210493305.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种光伏组件及其制作方法
- 下一篇:形成栅极的方法、平坦化层间介质层的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的