[发明专利]一种花片太阳能电池制备方法

权利要求书

1. 一种花片太阳能电池制备方法，其特征在于，在常规多晶硅制备工艺的基础上，使用碱制绒代替酸制绒对多晶硅进行表面织构化处理，获得不同晶粒表面上不相同的表面积/面积比，之后调节镀膜工艺，调节镀膜温度，时间，射频功率，使不同晶粒上同时镀膜得到的色彩调制层厚度不同，从而获得硅片上的花色。

2. 根据权利要求1所述的一种花片太阳能电池制备方法，其特征在于：使用的碱溶液是NaOH溶液、KOH溶液或氨水，浓度为0.1%~20%。

3. 根据权利要求1所述的一种花片太阳能电池制备方法，其特征在于：制绒时加入制绒添加剂来控制制绒速度。

4. 根据权利要求1所述的一种花片太阳能电池制备方法，其特征在于：所述色彩调制层包含氧化物、氟化物、硫化物、氮化物、碲化物及硒化物中的至少之一所构成。

5. 根据权利要求1所述的一种花片太阳能电池制备方法，其特征在于：所述镀膜厚度为1~500nm。

6. 根据权利要求1所述的一种花片太阳能电池制备方法，其特征在于：具体步骤为，

（1）多晶硅片使用单晶硅用槽式制绒机台进行表面织构化处理，硅片经过去除切片损伤层后，进行制绒，制绒溶液为0.5%质量比的NaOH溶液，为控制制绒速度还加入0.05%体积比的异丙醇和0.005%体积比的制绒添加剂，控制制绒温度78℃，制绒时间为1200秒；

（2）制绒后进行扩散，控制扩散工艺，得到方阻为80±5的PN结，扩散后的硅片表面有一层磷硅玻璃，经过边缘刻蚀和洗磷工序，将硅片侧面和边缘的磷硅玻璃洗掉；

（3）洗磷后的硅片，使用上镀膜板式镀膜机台进行氮化硅的沉积镀膜，镀膜功率为3100W，调节硅烷和和氨气的比例和带速使得最终镀膜厚度在130nm到190nm，折射率在2.05~2.5之间，由于不同晶粒的比表面积/面积比不同，沉积后得到的膜厚也就会有差异，表面较粗糙，表面积/面积大的晶粒上沉积的薄膜厚度较薄，膜厚在130nm，呈黄色；另一方面，表面较平滑，表面积/面积比较小的晶粒上沉积的膜厚就较厚，在180nm，会呈现出暗紫色，这样就在硅片表面上形成了花色。

7. 根据权利要求1所述的一种花片太阳能电池制备方法，其特征在于：具体步骤为，

（1）多晶硅片使用单晶硅用槽式制绒机台进行表面织构化处理，硅片经过去除切片损伤层后，进行制绒，制绒溶液为0.5%质量比的NaOH溶液，为控制制绒速度还加入0.05%体积比的异丙醇和0.005%体积比的制绒添加剂，控制制绒温度78℃，制绒时间为1200秒；

（2）制绒后进行扩散，控制扩散工艺，得到方阻为80±5的PN结，扩散后的硅片表面有一层磷硅玻璃，经过边缘刻蚀和洗磷工序，将硅片侧面和边缘的磷硅玻璃洗掉；

（3）洗磷后的硅片，使用上镀膜板式镀膜机台进行氮化硅的沉积镀膜，镀膜功率为3100W，调节硅烷和和氨气的比例和带速使得最终镀膜厚度在320nm以上，折射率在2.05~2.5之间，由于不同晶粒的比表面积/面积比不同，沉积后得到的膜厚也就会有差异，表面较粗糙，表面积/面积大的晶粒上沉积的薄膜厚度较薄，膜厚在320nm，呈红色；另一方面，表面较平滑，表面积/面积比较小的晶粒上沉积的膜厚就较厚，大于330nm，会呈现出绿色，这样就在硅片表面上形成了红绿相间的花色。

8. 根据权利要求1所述的一种花片太阳能电池制备方法，其特征在于：具体步骤为，

（1）多晶硅片使用单晶硅用槽式制绒机台进行表面织构化处理，硅片经过去除切片损伤层后，进行制绒，制绒溶液为0.5%质量比的NaOH溶液，为控制制绒速度还加入0.05%体积比的异丙醇和0.005%体积比的制绒添加剂，控制制绒温度78℃，制绒时间为1200秒；

（2）制绒后进行扩散，控制扩散工艺，得到方阻为80±5的PN结，扩散后的硅片表面有一层磷硅玻璃，经过边缘刻蚀和洗磷工序，将硅片侧面和边缘的磷硅玻璃洗掉；

（3）洗磷后的硅片，使用APCVD镀膜机台进行SiO2的沉积，调节气体比例和带速使得镀膜厚度在80nm到100nm，折射率在1.45，由于不同晶粒的比表面积/面积比不同，沉积后得到的膜厚也就会有差异；表面较粗糙，表面积/面积大的晶粒上沉积的薄膜厚度较薄，膜厚在80nm，呈红色；另一方面，表面较平滑，表面积/面积比较小的晶粒上沉积的膜厚就较厚，在100nm以上，呈现出蓝色，这样就在硅片表面上形成了红蓝相间的花色。