[发明专利]一种表征通孔刻蚀后关键尺寸的方法

权利要求书

1.一种表征通孔刻蚀后关键尺寸的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在双大马士革工艺的光刻预定区域的通孔图形时，在非预定区域的光罩上形成通孔的测量图形，所述测量图形的大小与所述定义通孔图形的大小一致；

步骤2，进行通孔刻蚀工艺，在预定区域和非预定区域刻蚀出通孔；

步骤3，在刻蚀工艺稳定后，测量非预定区域的通孔的尺寸。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

步骤4，测量预定区域的通孔的尺寸，并得出预定区域和非预定区域的通孔尺寸的差异。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤3中通过扫描电镜测量非预定区域的通孔的尺寸。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤4中通过透射电镜测量预定区域的通孔的尺寸。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述光刻预定区域的通孔图形时，所形成的晶圆结构包括依次在衬底上形成的刻蚀阻挡层、低介电常数层、氧化硅层和金属硬掩膜层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述低介电常数层采用多孔超低介电常数介质材料。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层为氮化钛金属硬掩模。