[发明专利]电子器件、制造方法和电子器件制造装置

权利要求书

1.一种制造电子器件的方法，所述方法包括：

使第一电子元件的第一电极的顶表面暴露于有机酸；

利用紫外光照射所述第一电极的暴露于所述有机酸的所述顶表面；以及

通过对所述第一电极和第二电子元件的第二电极进行加热和相互压制来接合所述第一电极和所述第二电极。

2.根据权利要求1所述的制造电子器件的方法，所述方法还包括：

使所述第二电极的顶表面暴露于所述有机酸；以及

利用紫外光照射所述第二电极的暴露于所述有机酸的所述顶表面。

3.根据权利要求1或2所述的制造电子器件的方法，所述方法还包括：

在接合所述第一电极和所述第二电极之前，使用临时性接合材料来临时地接合所述第一电子元件和所述第二电子元件。

4.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法，其中

所述临时性接合材料是在接合所述第一电极和所述第二电极的过程中因加热而挥发、熔化或分解的材料。

5.根据权利要求1所述的制造电子器件的方法，所述方法还包括：

在使所述第一电极的所述顶表面暴露于所述有机酸之前，对所述第一电极的所述顶表面进行热氧化。

6.根据权利要求1所述的制造电子器件的方法，其中接合所述第一电极和所述第二电极在排除氧的气氛或包含有机酸的气氛中进行。

7.根据权利要求1所述的制造电子器件的方法，所述方法还包括：

在接合所述第一电极和所述第二电极之前，使所述第一电极的顶表面和所述第二电极的顶表面中的至少之一暴露于紫外光或氧等离子体。

8.根据权利要求1所述的制造电子器件的方法，其中

在接合所述第一电极和所述第二电极的过程中，将所述第一电极和所述第二电极加热到比变质层的再结晶温度高的温度，所述变质层是通过所述紫外光的照射而在所述第一电极的所述顶表面中形成的。

9.根据权利要求1所述的制造电子器件的方法，所述方法还包括：

在使所述第一电极的所述顶表面暴露于所述有机酸之前，对所述第一电极的所述顶表面进行切削。

10.一种电子器件，包括：

包括第一电极的第一电子元件；以及

包括接合到所述第一电极的第二电极的第二电子元件，其中

在所述第一电极和所述第二电极之间形成有晶体层。

11.根据权利要求10所述的电子器件，其中

所述晶体层的晶粒具有比所述第一电极和所述第二电极的晶粒的平均直径小的平均直径。

12.根据权利要求10或11所述的电子器件，其中所述第一电极、所述第二电极和所述晶体层由相同的材料制成。

13.根据权利要求12所述的电子器件，其中所述材料为铜。

14.一种电子器件制造装置，包括：

室；

平台，所述平台设置在所述室中并且在所述平台上放置有具有电极的电子元件；以及

紫外灯，所述紫外灯设置在所述室中并且配置为利用紫外光照射所述电极，其中

所述紫外灯设置在所述紫外灯能够利用所述紫外光照射所述电极的顶表面的位置处。

15.一种电子器件制造装置，包括：

第一室，在所述第一室中，从包括在第一电子元件中的第一电极和包括在第二电子元件中的第二电极中的至少之一的表面移除氧化膜；

第二室，所述第二室连接到所述第一室，并且在所述第二室中利用紫外光照射所述第一电极和所述第二电极中的至少之一；

接合器，所述接合器连接到所述第二室并且配置为使所述第一电极和所述第二电极对准；以及

第三室，所述第三室连接到所述接合器，并且在所述第三室中对所述第一电子元件和所述第二电子元件进行加热和相互压靠。