[发明专利]利用多侧壁图像转移技术在结构中图案化特征的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在结构上方形成第一芯轴；

形成邻近该第一芯轴的多个第一间隙壁；

形成多个第二芯轴，各该第二芯轴邻近该第一间隙壁的其中一第一间隙壁；

形成多个第二间隙壁，各该第二间隙壁邻近该第二芯轴的其中一第二芯轴；

执行至少一蚀刻工艺，以相对该第一间隙壁及该第二间隙壁选择性移除该第一芯轴及该第二芯轴，从而定义由该第一间隙壁及该第二间隙壁组成的蚀刻掩膜；以及

在该结构上通过该蚀刻掩膜执行至少一蚀刻工艺，以在该结构中定义多个特征。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一间隙壁的宽度与各该多个第二间隙壁的宽度相同。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该第一间隙壁的宽度与各该多个第二间隙壁的宽度不同。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该结构为半导体衬底或材料层的其中之一。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该结构为半导体衬底，以及其中，该特征为鳍式场效应晶体管装置的鳍片。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该第一芯轴的宽度与各该多个第二芯轴的宽度相同。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该第一芯轴的宽度与各该多个第二芯轴的宽度不同。

8.如权利要求1所述的方法，其中，该结构为栅极电极材料层，以及其中，该特征为栅极电极。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该特征为线或沟槽。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该第一间隙壁形成于该第一芯轴上，各该第二芯轴形成于该第一间隙壁的其中一第一间隙壁上，各该第二间隙壁形成于该第二芯轴的其中一第二芯轴上。

11.一种方法，包括：

在结构上方形成第一芯轴；

形成邻近该第一芯轴的多个第一间隙壁，各该第一间隙壁具有第一宽度；

形成多个第二芯轴，各该第二芯轴邻近该第一间隙壁的其中一第一间隙壁；

形成多个第二间隙壁，各该第二间隙壁邻近该第二芯轴的其中一第二芯轴，且各该第二间隙壁具有不同于该第一宽度的第二宽度；

执行至少一蚀刻工艺，以相对该第一间隙壁及该第二间隙壁选择性移除该第一芯轴及该第二芯轴，从而定义由该第一间隙壁及该第二间隙壁组成的蚀刻掩膜；以及

在该结构上通过该蚀刻掩膜执行至少一蚀刻工艺，以在该结构中定义多个特征。

12.如权利要求11所述的方法，其中，该第一宽度大于该第二宽度。

13.如权利要求11所述的方法，其中，该第二宽度大于该第一宽度。

14.如权利要求11所述的方法，其中，该结构为半导体衬底或材料层的其中之一。

15.如权利要求11所述的方法，其中，该结构为半导体衬底，以及其中，该特征为鳍式场效应晶体管装置的鳍片。

16.如权利要求11所述的方法，其中，该第一芯轴的宽度与各该多个第二芯轴的宽度相同。

17.如权利要求11所述的方法，其中，该第一芯轴的宽度与各该多个第二芯轴的宽度不同。

18.如权利要求11所述的方法，其中，该结构为栅极电极材料层，以及其中，该特征为栅极电极。

19.如权利要求11所述的方法，其中，该特征为线或沟槽。

20.如权利要求11所述的方法，其中，该第一间隙壁形成于该第一芯轴上，各该第二芯轴形成于该第一间隙壁的其中一第一间隙壁上，各该第二间隙壁形成于该第二芯轴的其中一第二芯轴上。

21.一种鳍式场效应晶体管装置，包括：

半导体衬底；

形成于该衬底中的多个鳍片，其中，该些鳍片具有不同的目标宽度；以及

位于该多个鳍片上方的栅极电极。

22.如权利要求21所述的装置，其中，该些鳍片的宽度方向基本平行于该衬底的上表面。