[发明专利]一种杂合纳米结构构建方法无效
申请号: | 201210495672.5 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN103848395A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 汪颖;张益;胡钧 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海应用物理研究所 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 钟华;徐颖 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 结构 构建 方法 | ||
1.一种杂合纳米结构构建方法,其特征在于,其包括下述步骤:
(1)将分别滴加在基底不同位置上的半导体量子点纳米颗粒溶液和金属纳米颗粒溶液吹干;
(2)(ⅰ)利用原子力显微镜对半导体量子点纳米颗粒进行成像,用原子力显微镜的针尖的侧臂拾取、移动并放置于基底表面的预定位点;
(ⅱ)利用原子力显微镜对金属纳米颗粒进行成像,用原子力显微镜的针尖的侧臂拾取、移动并将金属纳米颗粒放置于(ⅰ)所述的半导体量子点纳米颗粒的周围预设位点,即可形成所述的杂合纳米结构;
其中,(ⅰ)所述的半导体量子点纳米颗粒与(ⅱ)所述的金属纳米颗粒可以互换。
2.如权利要求1所述的杂合纳米结构构建方法,其特征在于,所述的基底为云母、玻璃和硅片中的一种或多种。
3.如权利要求1或2所述的杂合纳米结构构建方法,其特征在于,所述的基底为化学修饰过的基底。
4.如权利要求3所述的杂合纳米结构构建方法,其特征在于,所述的基底为用3-氨基丙基三乙氧基硅烷处理的基底。
5.如权利要求1所述的杂合纳米结构构建方法,其特征在于,所述的半导体量子点纳米颗粒为CdSe、CdSe/ZnS和CdTe中的一种或多种;所述的金属纳米颗粒为金和/或银纳米颗粒;所述的半导体量子点纳米颗粒和金属纳米颗粒的粒径分别独立的为1~90nm。
6.如权利要求1所述的杂合纳米结构构建方法,其特征在于,在进行步骤(1)的吹干之前,将滴有半导体量子点纳米颗粒溶液和金属纳米颗粒溶液的基底静置或在离心机上旋转。
7.如权利要求6所述的杂合纳米结构构建方法,其特征在于,所述的静置或旋转的时间为1~3分钟,所述的旋转的转速为3000~4000rpm。
8.如权利要求1所述的杂合纳米结构构建方法,其特征在于,所述的吹干为用洗耳球手工吹干和/或氮气吹干,所述的吹干的时间为1~2分钟。
9.如权利要求1所述的杂合纳米结构构建方法,其特征在于,所述的拾取的方法为通过扫描定位单个纳米颗粒,待扫描线到达该纳米颗粒前降低原子力显微镜的针尖高度,使针尖侧臂与该纳米颗粒接触,进行第一次二维扫描使针尖侧臂与纳米颗粒持续接触,并使该纳米颗粒粘在针尖侧臂上,从而实现单个纳米颗粒的拾取。
10.如权利要求9所述的杂合纳米结构构建方法,其特征在于,所述的针尖侧臂与该纳米颗粒接触的位置为距针尖端5~50nm处。
11.如权利要求9所述的杂合纳米结构构建方法,其特征在于,所述的第一次二维扫描的扫描范围为(100~800nm)×(100~800nm)。
12.如权利要求11所述的杂合纳米结构构建方法,其特征在于,所述的第一次二维扫描的扫描范围为(200~400nm)×(200~400nm)。
13.如权利要求9所述的杂合纳米结构构建方法,其特征在于,所述的放置的方法为降低针尖的高度,使附着在针尖侧臂的纳米颗粒接触到基底,进行第二次二维扫描将该纳米颗粒放置于基底表面上;其中,放置时针尖降低的程度比拾取时针尖降低的程度多2~20nm;第二次二维扫描的扫描范围为(0~100nm)×(0~100nm)。
14.如权利要求1所述的杂合纳米结构构建方法,其特征在于,所述的针尖为单个硅探针或针尖阵列硅探针。
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