[发明专利]一种干法化学预清洁工艺机台无效
| 申请号： | 201210496236.X | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102969260A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化学 清洁 工艺 机台 | ||
【权利要求书】：
1.一种干法化学预清洁工艺机台，包括晶圆支撑部件及加热部件，待处理的晶圆片放置于所述晶圆支撑部件上，其特征在于，通过移动所述加热部件来调节其与晶圆片之间的距离。
2.如权利要求1所述的干法化学预清洁工艺机台，其特征在于，所述机台的加热部件通过若干第一螺杆来进行移动，精确调节控制加热部件与晶圆片之间的距离。
3.如权利要求2所述的干法化学预清洁工艺机台，其特征在于，所述第一螺杆的数目为三个及以上。
4.如权利要求1或2所述的干法化学预清洁工艺机台，其特征在于，所述机台的加热部件通过若干第二螺杆来保持加热部件的水平。
5.如权利要求4所述的干法化学预清洁工艺机台，其特征在于，所述第二螺杆的数目为三个及以上。
6.如权利要求1或2所述的干法化学预清洁工艺机台，其特征在于，所述机台的加热部件与晶圆片之间的距离可调节至小于150mil。
7.如权利要求1或2所述的干法化学预清洁工艺机台，其特征在于，所述机台的加热部件的温度控制在150～200℃，并保持恒定。
8.如权利要求1所述的干法化学预清洁工艺机台，其特征在于，所述机台为应用材料公司(AMAT)生产的Endura机台。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
