[发明专利]一种氮化硅陶瓷球轴承套圈的生产工艺无效
申请号: | 201210496386.0 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN103009231A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 李东炬;韩吉光 | 申请(专利权)人: | 大连大友高技术陶瓷有限公司 |
主分类号: | B24B37/00 | 分类号: | B24B37/00;C09K3/14 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 赵淑梅 |
地址: | 116000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 陶瓷 球轴承 生产工艺 | ||
1.一种氮化硅陶瓷球轴承套圈的生产工艺,其特征在于:按下述工艺步骤进行:
①加工成型:采用机床将坯料车加工成环形后进行冷碾扩工艺,所述冷辗扩工艺将套圈基本加工成型,采用热处理和深冷处理:热处理淬火硬度HRC60~63,深冷温度控制在零下60℃~零下90℃;
②研磨抛光:经过冷碾扩工艺的工件进行初磨以及精磨工艺,对套圈的平面、外径、内孔、沟道进行磨加工,达到零件的尺寸精度;最后进行超精研磨工序,对轴承套圈的沟道进行超精研磨,降低沟道的粗糙度和提高沟道的圆度,其粗糙度小于0.015Ra,所述研磨抛光的步骤按下述方法进行:
I.粗磨:对套圈的平面、外径、内孔和沟道进行粗磨;所述粗磨研磨剂中,碳化硅颗粒的粒度为100~200μm,所述碳化硅颗粒为球形,其圆球度为0.5~0.6;
II.精磨:对套圈的平面、外径、内孔和沟道进行精磨;所述精磨研磨剂中,碳化硅颗粒的粒度为5~50μm,所述碳化硅颗粒为球形,其圆球度为0.6~0.65;
III.超精磨:对套圈的沟道进行超精磨;所述超精磨研磨剂中,碳化硅颗粒的粒度为0.1~5μm,所述碳化硅颗粒为球形,其圆球度为0.65~0.75。
2.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:所述粗磨研磨剂、精磨研磨剂和超精磨研磨剂与研磨基质的质量比为1:1~1:4。
3.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:所述基质为水或煤油。
4.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:所述粗磨研磨剂、精磨研磨剂和超精磨研磨剂中,碳化硅颗粒占研磨剂质量的5%~50%。
5.根据权利要求4所述的工艺,其特征在于:所述粗磨研磨剂、精磨研磨剂和超精磨研磨剂,按质量百分比,由下述组分组成:
6.根据权利要求5所述的工艺,其特征在于:所述分散剂为乙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、甘油中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:所述粗磨研磨剂中,碳化硅颗粒中粒度为100~150μm的碳化硅颗粒的质量至少占碳化硅颗粒总质量的40%~80%。
8.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:所述精磨研磨剂中,碳化硅颗粒中粒度为10~20μm的碳化硅颗粒的质量至少占碳化硅颗粒总质量的40%~80%。
9.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:所述超精磨研磨剂中,碳化硅颗粒中粒度为0.5~2μm的碳化硅颗粒的质量至少占碳化硅颗粒总质量的40%~80%。
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