[发明专利]提高无氮介质抗反射层薄膜与光刻胶粘附力的方法有效
| 申请号： | 201210496586.6 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103021839A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 周军;毛智彪;贺忻 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 介质 反射层 薄膜 光刻 胶粘 方法 | ||
1.一种提高无氮介质抗反射层薄膜与光刻胶粘附力的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
制备无氮介质抗反射层薄膜；
对所制备的所述无氮介质抗反射层薄膜进行等离子氮气处理。
2.如权利要求1所述的提高无氮介质抗反射层薄膜与光刻胶粘附力的方法，其特征在于，所述无氮介质抗反射层薄膜采用化学气相沉积工艺制备。
3.如权利要求2所述的提高无氮介质抗反射层薄膜与光刻胶粘附力的方法，其特征在于，制备所述无氮介质抗反射层薄膜使用的主要气体为硅烷、二氧化碳和氦气。
4.如权利要求3所述的提高无氮介质抗反射层薄膜与光刻胶粘附力的方法，其特征在于，所述无氮介质抗反射层薄膜的厚度为
5.如权利要求1所述的提高无氮介质抗反射层薄膜与光刻胶粘附力的方法，其特征在于，所述等离子氮气处理的工艺条件如下：
处理温度为：300～600℃；
处理时间为：3～12秒；
处理能量为：50～600瓦。
6.如权利要求5所述的提高无氮介质抗反射层薄膜与光刻胶粘附力的方法，其特征在于，所述等离子氮气处理工艺与化学气相沉积工艺在同一机台内进行。
7.如权利要求5所述的提高无氮介质抗反射层薄膜与光刻胶粘附力的方法，其特征在于，所述等离子氮气处理工艺与化学气相沉积工艺在不同机台内进行。
8.如权利要求1至7任一项所述的提高无氮介质抗反射层薄膜与光刻胶粘附力的方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺采用的机台为诺发公司生产的vector机台，或者应用材料公司(AMAT)生产的producer机台。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
