[发明专利]一种高致密度复合陶瓷的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210496669.5 申请日: 2012-11-28
公开(公告)号: CN103011834A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 李东炬;韩吉光 申请(专利权)人: 大连大友高技术陶瓷有限公司
主分类号: C04B35/584 分类号: C04B35/584;C04B35/622
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 赵淑梅
地址: 116000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 致密 复合 陶瓷 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种高致密度复合陶瓷的制备方法,属于陶瓷制备领域。

背景技术

立方氮化硼陶瓷均有良好的耐热性、热稳定性、导热性,是理想的散热材料和高温绝缘材料。氮化硼的化学稳定性好,能抵抗大部分熔融金属的浸蚀。它也有很好的自润滑性。然而其硬度较其他高强度陶瓷低,适用于制作高温轴承。然而立方氮化硼陶瓷的烧结条件极其苛刻,为了降低其烧结温度和条件,需要在烧结过程中加入其他烧结助剂。

氮化硅陶瓷具有极高的强度很高且极耐高温,其强度在1200℃的高温不下降,受热后不会熔成融体,同时,其耐化学腐蚀性能优异,能耐几乎所有的无机酸和30%以下的烧碱溶液,也能耐很多有机酸的腐蚀。氮化硅陶瓷的烧结工艺一般为三种:热等静压(HIP)、热压(HP)和气氛压力烧结。气氛烧结的压力为5~10MPa,热压烧结的压力为70Mpa左右,热等静压的烧结的压力为150MPa~200MPa。

为了增强氮化硅陶瓷的导热性及自润滑性,需要提供一种多相复合陶瓷材料,并降低烧结压力,实现无压烧结。

发明内容

本发明的目的是提供一种高致密度复合陶瓷的制备方法,该制备方法可以实现在常压下烧结氮化硅-氮化铝-立方氮化硼复合陶瓷材料,利用该方法制备的复合陶瓷强度高、致密性好、耐磨行优异、自润滑性能好的优点,尤其适用于制作陶瓷球轴承的滚动体。

一种高致密度复合陶瓷的制备方法,包括混料、球磨和烧结的步骤,所述混料步骤中,陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:

本发明所述高致密复合陶瓷的制备方法优选所述陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:

本发明所述高致密复合陶瓷的制备方法优选所述陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:

本发明所述高致密复合陶瓷的制备方法优选所述烧结为无压烧结的步骤,按下述工艺进行:氮气气氛中,将粉料置于模具中,在烧结炉中以10~20℃/min的速度升温至1500℃~1750℃,保温2h~6h,停止加热后随炉冷却至室温,其中氮气流速为1~5L/min。

本发明所述高致密复合陶瓷的制备方法优选所述球磨步骤,按下述工艺进行:常温下,将经混料的粉料置于球磨机中,于300~360r/min的速度球磨2h~6h。

本发明所述高致密复合陶瓷的制备方法优选所述混料步骤,按下述工艺进行:将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀,过80~200目筛。

本发明所述高致密复合陶瓷的制备方法进一步优选下述技术方案:

一种高致密复合陶瓷的制备方法,包括下述工艺步骤:

①混料:将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀,过80~200目筛;

②球磨:常温下,将经混料的粉料置于球磨机中,于300~360r/min的速度球磨2h~6h;

③烧结:氮气气氛中,将粉料置于模具中,在烧结炉中以10~20℃/min的速度升温至1500℃~1750℃,保温2h~6h,停止加热后随炉冷却至室温,其中氮气流速为1~5L/min。

本发明的有益效果是:一种高致密度复合陶瓷的制备方法,包括混料、球磨和烧结的步骤所述陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:β-Si3N4:70%~90%,AlN:5%~25%,BN:1%~3%,Y2O3:0.1%~1%,CaF2:0.1%~1%,该制备方法可以实现在常压下烧结氮化硅-氮化铝-立方氮化硼复合陶瓷材料,同时步骤简单、方便易行。利用该方法制备的氮化硅陶瓷强度高、致密性好、耐高温和耐磨优异,可广泛用于各种对材料强度要求高的领域,尤其适用于制作轴承滚动体。

具体实施方式

下述非限制性实施例可以使本领域的普通技术人员更全面地理解本发明,但不以任何方式限制本发明。

实施例1

①混料:将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀,过120目筛,所述陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:

②球磨:常温下,将经混料的粉料置于球磨机中,于300r/min的速度球磨5h;

③烧结:烧结:氮气气氛中,将粉料置于模具中,在烧结炉中以15℃/min的速度升温至11750℃,保温3h,停止加热后随炉冷却至室温,其中氮气流速为2L/min。

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