[发明专利]制备无氮介质抗反射层薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210496692.4 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102945803A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 周军;贺忻 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 介质 反射层 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备无氮介质抗反射层薄膜的方法，其特征在于，该方法采用化学气相沉积工艺制备无氮介质抗反射层薄膜，其中化学气相沉积工艺的工艺条件为：
反应气体：硅烷、二氧化碳和氦气；
腔体压力：大于3mTorr；
沉积时间：每一步的主要沉积时间大于3S。
2.如权利要求1所述的制备无氮介质抗反射层薄膜的方法，其特征在于，所述硅烷的流量大于70sccm。
3.如权利要求1或2所述的制备无氮介质抗反射层薄膜的方法，其特征在于，所述二氧化碳和氦气的总流量大于15slm。
4.如权利要求3所述的制备无氮介质抗反射层薄膜的方法，其特征在于，所述无氮介质抗反射层薄膜为SiOCH。
5.如权利要求4所述的制备无氮介质抗反射层薄膜的方法，其特征在于，所述无氮介质抗反射层薄膜的厚度为
6.如权利要求5所述的制备无氮介质抗反射层薄膜的方法，其特征在于，所述无氮介质抗反射层薄膜的193nm n/k值均一性小于3%。
7.如权利要求1所述的制备无氮介质抗反射层薄膜的方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺采用的机台为诺发公司生产的vector机台。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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