[发明专利]一种优化CDSEM跑货顺序的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种优化CDSEM跑货顺序的方法。

背景技术

目前，在半导体器件制造中，采用关键尺寸扫描电子显微镜(Critical Dimension Electronic Microscope,CDSEM)测量制作在晶片上的图案的关键尺寸(Critical Dimension,CD)。随着半导体技术的发展，半导体器件的关键尺寸越来越小。为保证光刻或刻蚀后晶片上图案的准确性，经过曝光显影将光罩上的图案转移到晶片上以后，带有图案的晶片会放置在CDSEM机台，由CDSEM控制系统控制CDSEM机台测量光刻后图案的关键尺寸，CDSEM机台将得到的图案之关键尺寸反馈给CDSEM控制系统，以确定图案的关键尺寸是否符合大规模集成电路(Integrated Circuit,IC)设计要求，从而了解光刻或者刻蚀的准确性。

但是，目前CDSEM系统造价昂贵，成本过高，而半导体公司所购置的有限数量CDSEM利用率较低，不能满足实际生产与研发需求。如何合理的安排CDSEM系统的跑货顺序，将关系到CDSEM机台的利用率及高等级批量跑货进度。故，如何合理有效地优化CDSEM机台跑货顺序成为本领域的重要研究课题之一。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种优化CDSEM跑货顺序的方法。

发明内容

本发明是针对现有技术中，传统的CDSEM系统造价昂贵，成本过高，而半导体公司所购置的有限数量CDSEM利用率较低，不能满足实际生产与研发需求等缺陷提供一种优化CDSEM跑货顺序的方法。

为了解决上述问题，本发明提供一种优化CDSEM跑货顺序的方法，所述方法包括：

执行步骤S 1：利用CDSEM测量处方浏览器软件导出已完成跑货的批量产品之制程时间T_wafer；

执行步骤S2：计算单点制程时间T_point；通过量测程式的设定，并结合所述CDSEM测量处方浏览器软件导出的已完成跑货的批量产品之制程时间T_wafer，并依据公式计算所述单点制程时间T_point；

执行步骤S3：将所述单点制程时间T_point导入自动派货系统，所述自动派货系统可导入所述CDSEM测量处方浏览器软件输出的数据并进行计算，同时所述自动派货系统可对相关信息进行记录，所述相关信息包括批量产品的优先等级顺序、测量点数量；

执行步骤S4：计算所述CDSEM量测机台的等待时间T_wait，所述自动派货系统通过公式：

T_wait＝T_recipe1point×Lot1×N1_point+T_recipe2point×Lot2×N2_point+…+T_recipenpoint×Lotn×Nn_point，获得所述CDSEM量测机台的等待时间T_wait；

执行步骤S5：所述自动派货系统根据步骤S4所获得的等待时间T_wait，以及所述自动派货系统所记录的批量产品的优先等级顺序安排所述CDSEM量测机台的跑货顺序。

可选地，所述CDSEM测量处方浏览器软件为CDSEM recipe viewer software version 7.30以上的版本。

可选地，所述CDSEM机台上安排量测的第一批晶圆的单点测量时间T_recipe1point为0.8s，待量测点数量为36个；在所述CDSEM机台上安排量测的第二批晶圆的单点测量时间T_recipe2point为0.9s，待量测点数量为18个；所述第三批晶圆需要等待的时间为T_wait3：

T_wait3＝T_recipe1point×Lot1×N1_point+T_recipe2point×Lot2×N2_point＝0.8×36+0.9×18＝45s。