[发明专利]等离子体的监控及杂散电容的最小化有效
| 申请号： | 201210496884.5 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103014677B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 白宗薰;S·H·金;朴范洙;约翰·M·怀特;栗田真一;杨晓玲 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/505 | 分类号： | C23C16/505;C23C16/52;H01J37/244 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陆勍,侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 监控 电容 最小化 | ||
1.一种方法，包括：
经匹配网络从RF功率源传送RF功率到电容耦合的等离子体腔的背板；
在所述电容耦合的等离子体腔中激发等离子体；和
在与所述匹配网络隔开的位置测量一个或多个所述等离子体的第二和第三谐波。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述测量替换断裂的RF返回带。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述测量从所述电容耦合的等离子体腔移除断裂的基板。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述位置为所述电容耦合的等离子体腔的电极的中心。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述位置为所述电容耦合的等离子体腔的电极的边缘。
6.一种方法，包括：
经匹配网络从RF功率源传送RF功率到电容耦合的等离子体腔的背板；
在所述电容耦合的等离子体腔中激发等离子体；和
在与所述匹配网络隔开的位置，通过测量等离子体参数来检测所述等离子体的状态。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述检测包括：检测所述等离子体的第二谐波。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述检测另外包括：检测所述等离子体的第三谐波。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述位置对应于布置在所述腔中的背板的边缘。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述检测的状态替换断裂的RF返回带。
11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述位置对应布置在所述腔中的背板的中心。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述检测的状态替换断裂的RF返回带。
13.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述检测包括：检测所述等离子体的第三谐波。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述位置对应布置在所述腔中的背板的边缘。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述检测的状态替换断裂的RF返回带。
16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述位置对应布置在所述腔中的背板的中心。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述检测的状态替换断裂的RF返回带。
18.如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述检测的状态替换断裂的射频返回带。
19.一种等离子体增强化学气相沉积方法，包括：
在等离子体增强化学气相沉积腔中激发等离子体，所述腔包括匹配网络、背板和气体分配喷头；和
测量所述腔中产生的所述等离子体的至少一个或多个第二和第三谐波，所述测量在所述背板发生。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述测量替换断裂的接地带。
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- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
