[发明专利]用于生产有机电致发光元件的方法和有机电致发光元件无效
申请号: | 201210497036.6 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN103137903A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 中野谷一;山本谕;后藤大辅;宫川聪志;加藤拓司;毛利匡贵 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/54;H01L51/50 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;张全信 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 生产 有机 电致发光 元件 方法 | ||
1.用于生产发光有机薄膜的方法,所述方法包括:
涂布包含π-电子共轭化合物前体A-(B)m和至少一种发光染料的溶液,其中所述π-电子共轭化合物前体A-(B)m包含离去取代基;和
施加外部刺激至所述π-电子共轭化合物前体A-(B)m,以消除其所述离去取代基,从而所述π-电子共轭化合物前体A-(B)m转化成π-电子共轭化合物A-(C)m和消去化合物X-Y,如在下列反应式(I)中:
A-(B)m→A-(C)m+X-Y (I)
π-电子共轭化合物前体 π-电子共轭化合物 消去化合物
其中在所述反应式(I)中,A是π-电子共轭取代基,B是可溶于溶剂的取代基,其包含由通式(II)表示的至少一种结构,m是自然数,C是部分结构,其包含由通式(III)表示的至少一种结构,所述π-电子共轭化合物前体A-(B)m中的所述可溶于溶剂的取代基B经共价键与所述π-电子共轭取代基A上的原子连接或与所述π-电子共轭取代基A上的碳原子环稠合,并且当m是2或更大时,2个或更多个所述可溶于溶剂的取代基B可能相同或不同并且可连接在一起形成环;和
在所述通式(II)和(III)中,X和Y之一是氢原子并且另一个是离去取代基,可能相同或不同的R1、R2和R3每个是氢原子或取代基并且可一起形成环或经共价键可与所述π-电子共轭取代基A形成环,并且当m是2或更大时,2个或更多个所述可溶于溶剂的取代基B可能相同或不同并且可连接在一起形成环。
2.权利要求1所述的方法,其中所述π-电子共轭化合物前体A-(B)m的所述可溶于溶剂的取代基B包含由下列通式(II-1)或(II-2)或其二者表示的至少一种结构,并且所述π-电子共轭化合物A-(C)m的所述部分结构C包含由下列通式(III-1)、(III-2)或(III-3)或其任意组合表示的至少一种结构:
其中在所述通式(II-1)、(II-2)、(III-1)、(III-2)和(III-3)中,X和Y之一是氢原子并且另一个是离去取代基,X1和Y1之一是氢原子并且另一个是离去取代基,X2和Y2之一是氢原子并且另一个是离去取代基,离去取代基是取代的或未取代的酰氧基或取代的或未取代的烷氧基,并且可能相同或不同的Q1、Q2、Q3和Q4每个是氢原子或取代基并且可一起形成环或经共价键可与所述π-电子共轭取代基A形成环。
3.权利要求1所述的方法,其中所述π-电子共轭取代基A是在(1)中描述的取代基或在(2)中描述的取代基:
(1)源自选自下列化合物的取代基:每个包含芳族烃环或芳族杂环或其二者的化合物;稠合的多环芳族烃环化合物;和稠合的多环芳族杂环化合物,和
(2)源自以下化合物的取代基,其中列在(1)中的化合物的两个或更多个经共价键连接在一起。
4.权利要求1所述的方法,其中所述外部刺激是在25℃至500℃加热。
5.权利要求1所述的方法,其中所述发光有机薄膜包括所述发光染料和所述π-电子共轭化合物A-(C)m,所述π-电子共轭化合物A-(C)m在比发光染料中更短的波长侧显示光发射。
6.权利要求1所述的方法,其中所述发光有机薄膜中所述发光染料的掺杂浓度由所述溶液中所述发光染料相对于所述π-电子共轭化合物前体A-(B)m的量确定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择